Жесткая конкуренция между Южной Кореей и Японией на рынке NAND: Samsung и Kioxia одновременно начинают массовое производство новейших AI чипов памяти

Глобальный рынок NAND переживает новую волну технологических гонок. Японская компания Kioxia в этом году интенсивно продвигает массовое производство корпоративных твердотельных накопителей PCIe 6.0 и мобильных решений UFS 5.0, напрямую бросая вызов доминированию Samsung Electronics в сфере хранения данных для AI. Борьба между ведущими производителями памяти из Южной Кореи и Японии за новое поколение продуктов набирает обороты.

По данным корейского технологического медиа ZDNet, Kioxia в начале июля запустила массовое производство десятого поколения (BiCS 10) 3D NAND на заводе в Китакани, префектура Иватэ, Япония, и на этой базе успешно коммерциализировала корпоративный твердотельный накопитель PCIe 6.0 CM10. В это же время Samsung Electronics объявила о начале массового производства своего продукта PCIe 6.0 eSSD PM1763, а также раскрыла планы по запуску массового производства десятого поколения V-NAND (V10) в этом месяце, что привело к прямому противостоянию на ключевом этапе. Одновременное продвижение новейших спецификаций обеими компаниями ускорит процесс обновления производительности хранения данных для центров обработки данных AI и конечных AI-устройств, а также окажет глубокое влияние на существующую структуру поставок.

С точки зрения рыночных долей, согласно данным исследовательской компании TrendForce, в первом квартале 2026 года Samsung Electronics занимает первое место на мировом рынке NAND с долей 31,6%, SK Hynix занимает второе место с 17,6%, а Kioxia — третье с 13,9%. Несмотря на то, что объем Kioxia уступает корейским компаниям, темпы продвижения технологий высокопроизводительного хранения для AI у Kioxia ускоряются, и её конкурентное давление нельзя недооценивать.

Текущая технологическая атака Kioxia основана на NAND десятого поколения. BiCS 10 использует технологию наложения из 332 слоев и был запущен в массовое производство на заводе Kitakami K2 в начале июля. Samsung Electronics и SK Hynix уже завершили массовое производство NAND девятого поколения, хотя определения количества слоёв у разных производителей различаются и сложно провести прямое сравнение. Тем не менее, Kioxia первой достигла массового производства NAND с более чем 300 слоями, что само по себе является важным технологическим достижением.

На этой базе Kioxia выпустила PCIe 6.0 eSSD CM10 для рынка центров обработки данных. PCIe 6.0 — новейший стандарт интерфейса, коммерциализированный только в этом году. По официальным данным Kioxia, производительность последовательного чтения у CM10 на 92% выше по сравнению с предыдущим поколением, а производительность случайного чтения увеличивается примерно на 85%.

В направлении конечных AI-устройств Kioxia планирует начать массовое производство решений UFS 5.0 к концу этого года. UFS 5.0 — это новейший стандарт встроенной памяти, который начал коммерциализироваться в этом году и главным образом применяется в мобильных NAND-сценариях. Скорость обработки данных примерно в два раза выше по сравнению с предыдущим поколением UFS 4.1. Решение UFS 5.0 от Kioxia использует собственный контроллер и NAND восьмого поколения.

Samsung Electronics также активно действует в сегменте NAND в этом году. Модель PM1763 перешла к массовому производству в начале июля и оснащена V-NAND девятого поколения и новым контроллером по 4-нанометровому техпроцессу, став первым коммерческим продуктом Samsung на базе PCIe 6.0.

В направлении мобильного хранения Samsung завершила разработку продукта UFS 5.0 в июне этого года и планирует начать его массовое производство в четвертом квартале. Продукт основан на NAND девятого поколения, обеспечивает пропускную способность передачи данных 10,8 ГБ/с, Samsung позиционирует его как отраслевой стандарт высокого уровня с оптимизацией по энергопотреблению.

Наибольший интерес рынка вызывает запуск массового производства V10 NAND от Samsung. Количество слоев V10 оценивается более чем в 430, впервые применена технология гибридного соединения (Hybrid Bonding) и архитектура трёхкратного наложения (3-Stack), что обозначает переход Samsung на новый этап в технологии NAND. По словам представителей отрасли полупроводников, Samsung недавно завершила внутреннее утверждение массового производства (PRA) V10 и официально объявила план массового выпуска. Однако данный источник также отметил, что инвестиции в оборудование для крупномасштабного массового производства пока не развернуты полностью, поэтому первоначальные объёмы ожидаются на низком уровне.

В этот раз конкуренция корейских и японских производителей сконцентрирована вокруг AI-применений. PCIe 6.0 ориентирован на высокопроизводительные задачи хранения данных в AI-центрах обработки данных, а UFS 5.0 нацелен на быстрое повышение производительности локального хранения для конечных AI-устройств. Обе продуктовые линии полностью соответствуют текущему вектору развития индустрии AI.

Быстрый отклик Kioxia свидетельствует о сокращающемся цикле технологической эволюции на глобальном рынке NAND, а разрыв между лидерами рынка по времени вывода продуктов нового стандарта на рынок значительно сократился. Для инвесторов в AI-инфраструктуру узкие места по производительности на уровне хранения, вероятно, будут существенно устранены в период с этого до следующего года благодаря масштабному массовому производству указанных новейших решений.