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Samsung apresenta roteiro de próxima geração de memória 3D na FMS 2026

Samsung apresenta roteiro de próxima geração de memória 3D na FMS 2026

ReutersReuters2026/08/04 19:51
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  • Samsung Electronics apresentou a sua roadmap de memória para IA na conferência Future of Memory and Storage em Santa Clara.
  • Foram apresentados os modelos conceito zHBM e zNAND-O, além do lançamento do V10 BV-NAND com mais de 400 camadas, posicionando essas tecnologias para infraestrutura de IA.


Aviso: Esta breve notícia foi criada pela Public Technologies (PUBT) utilizando inteligência artificial generativa. Embora a PUBT se esforce para fornecer informações precisas e oportunas, este conteúdo gerado por IA tem finalidade exclusivamente informativa e não deve ser interpretado como aconselhamento financeiro, de investimento ou jurídico. Samsung Electronics Co. Ltd. publicou o conteúdo original utilizado para gerar esta breve notícia em 05 de agosto de 2026 e é a única responsável pelas informações nele contidas.

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