SemiAnalysis：快閃記憶體製造正“由鎢轉為鉬”

8月23日，半導體產業研究機構SemiAnalysis在X平台發布系列推文，說明3D NAND快閃記憶體製造從鎢（Tungsten，W）轉向鉬（Molybdenum，Mo）的技術邏輯。

3D NAND大約十年前便停止橫向縮小，改以垂直堆疊層數來提升儲存密度。然而當層數突破約300層後，連接每個儲存單元的鎢字線（word lines）面臨物理瓶頸：電阻過高、基於氟的化學製程造成漏電，以及無法在超深孔中有效填充。

SemiAnalysis在推文指出：「鉬不是一種優化，而是300層以上NAND的必然選擇。」

與鎢相比，鉬具備三項關鍵優勢：更低電阻（帶來更快的讀寫速度）、無需氟基化學製程，以及在高深寬比結構中更佳的填充能力。這三項正好對應鎢於深層堆疊時暴露出的三個核心缺陷，使材料替換成為技術上的必然需求，而非僅僅工程上的選擇。

產業現況：量產仍在2xx層，關鍵轉折點將至

SemiAnalysis整理了目前各主要廠商的層數進度：Kioxia/SanDisk達到218層，Micron為276層，Samsung為286層，SK海力士以321層位居產業前沿。

向3xx至4xx層的躍升正加速中。SemiAnalysis預估，鉬在NAND總產能中比例將從2025年中單位數百分比，增長至2027年約30%。

三大廠商全面佈局

主要NAND製造商皆已明確承諾轉向鉬製程，時間表清楚：

Samsung率先推出，鉬字線產品自2024年起已進入量產階段。

Micron將於2025年於Lam Research的ALTUS Halo設備上實現大規模量產。

SK海力士計劃於2026年底推出採用鉬製程的375層NAND。

設備廠：新增市場規模逾10億美元

每次從鎢轉鉬都需採購新沉積設備。SemiAnalysis估算，僅2027年一年，NAND鉬沉積設備銷售額將超過10億美元，並隨著DRAM及邏輯晶片的跟進，至2030年增長至約20億美元/年。

受惠廠商方面，Lam Research最先受益，TEL（東京電子）緊隨其後；AMAT（應用材料）、ASMI以及中國設備商Naura（北方華創）則將更多受益於後續DRAM及邏輯晶片製程的轉型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的細分市場層面預測已納入其前道設備（WFE）模型。