高盛韩国存储专家电话会：DRAM今年继续涨价，明年HBM价格暴涨，长协覆盖比例进一步扩大

高盛于7月28日举办韩国存储专家网络研讨会，并于7月29日发布纪要。与会专家认为，传统DRAM价格今年将保持“两位数百分比”的强劲增长势头，HBM明年存在大幅涨价甚至翻倍的空间，长期协议对市场的约束力正在增强，中国竞争对手短中期内威胁有限。高盛维持对三星电子的买入评级。

DRAM今年持续涨，HBM明年或翻倍

专家对今年DRAM价格走势给出了明确判断。

根据纪要，专家预计2026年三季度传统DRAM价格将实现"两位数百分比"的环比增长，与近期现货价格的强劲反弹相吻合。进入四季度，受持续供应短缺支撑，专家认为"再度实现两位数环比增长"同样存在可能。

他们认为，供给端没有明显放量，需求端AI服务器持续拉动，价格自然易涨难跌。

HBM的故事更为激进。专家认为，由于传统DRAM价格上涨，HBM定价明年"存在翻倍的可能性"。高盛自身的预测是：三星HBM价格2027年同比涨幅将达87%，这一数字已高于彭博汇总的卖方一致预期52%。

长协绑定力增强，超半数服务器DRAM已锁定

价格能否兑现，取决于合同能否守住。

根据纪要，专家指出，长期协议（LTA）包含多项强约束条款：大额预付款、"要么提货要么付款"（take-or-pay）条款，以及取消合同的违约金。这意味着买方一旦签约，退出成本极高。

目前，超过半数的服务器DRAM已被LTA覆盖，专家预计这一比例未来还将继续提升。

这对存储厂商意味着什么？收入能见度更高，价格谈判筹码更强。高盛在投资论点中也明确指出，与过去相比，此轮LTA的约束力度更强，有助于支撑三星的盈利预期。

中国厂商短中期难成威胁

市场一直担忧中国存储厂商的扩产冲击，但专家对此持保留态度。

根据纪要，专家承认中国供应商正在积极扩产，但认为其"在近中期内成为领先厂商明显威胁的可能性较低"。原因在于，中国厂商在生产良率、技术水平等方面与头部玩家仍存在差距。

换言之，扩产规模不等于有效供给，技术壁垒短期内难以逾越。

产能扩张加速，但有效位增长受限

产能在扩，但实际供给增量并不对等。

根据纪要，专家预计今年产能扩张速度将强于历史水平。然而，由于HBM占用晶圆比例（trade ratio）较高——生产同等数量的HBM需要消耗更多DRAM晶圆——实际位（bit）增长预计将低于历史平均水平。

这是理解当前供需格局的关键：表面上产能在扩，实际上可用于传统DRAM的有效供给并未同步增加，这正是支撑价格持续上涨的结构性原因。

混合键合技术：渐进式推进，非跨越式突破

HBM技术路线上，混合键合（hybrid bonding）被视为下一代方向，但专家对其落地节奏持审慎态度。

根据纪要，专家认为，随着DRAM芯片堆叠层数增加，现有键合技术将面临越来越大的挑战。但与此同时，专家并不预期混合键合会被提前大规模采用，原因是"在量产规模下实现足够良率需要相当长的时间和努力"。

专家判断，存储厂商将探索包括无助焊剂键合（fluxless bonding）在内的多种技术路径，同时逐步推进混合键合的导入，而非一步到位。

在上述判断基础上，高盛维持对三星电子普通股的买入评级，12个月目标价为48万韩元，优先股目标价为36万韩元。

报告指出，三星在HBM领域已开始展现出"有实质意义的进展"，叠加更高的股东回报预期，对该股维持积极看法。主要下行风险包括：存储供需大幅恶化、智能手机业务利润率急剧收缩，以及移动OLED市场份额流失。