Inilabas ng Samsung ang susunod na henerasyon ng storage roadmap: Ang HBM5 ay may performance na doble kumpara sa HBM4E, habang ang zHBM ay may 8 beses na mas mabilis na performance.
Ang proseso ng batayang chip ng HBM5 ay inaasahang tataas sa 2 nanometers, na naglalayong makamit ang dalawang beses na performance ng HBM4E, may 20% na pagtaas sa performance kada watt, at 20% na pagbaba ng thermal resistance. Inaasahang magsisimula ang mass production sa 2028. Ang bagong arkitekturang zHBM ay may target na performance na 8 beses ng HBM4E, may tatlong beses na pagtaas sa performance kada watt, at pagbaba ng thermal resistance mula 75% hanggang 90%. Inaasahang ilulunsad ito pagkatapos ng 2029.
Ibinunyag ng Samsung Electronics sa SEMICON Taiwan 2026 ang detalyadong roadmap ng kanilang bagong henerasyon ng high-bandwidth memory (HBM) at susunod na arkitektura ng storage, kabilang ang HBM5, zHBM, at zNAND-O pati na rin ang iba pang mga nangungunang teknolohiya, na nagpapakita ng pangmatagalang plano ng Koreanong memory giant sa merkado ng AI infrastructure storage.
Ayon kay Jangseok Choi, VP ng Product Planning para sa Storage ng Samsung, sa event noong Setyembre 1, ang layunin ng HBM5 ay maabot ang doble ng performance ng HBM4E, na may 20% na pagtaas sa performance per watt, at 20% na pagbaba sa thermal resistance. Nauna nang inanunsyo ng Samsung ang bahagi ng progreso nito sa Hot Chips 2026 noong Agosto.
Kasabay nito, inanunsyo rin ng Samsung na kasalukuyang nilang dine-develop ang bagong arkitektura ng zHBM, na may target na performance na 8x ng HBM4E, 3x na pagtaas ng performance per watt, at pagbaba ng thermal resistance ng 75% hanggang 90%.
Ang serye ng mga teknikal na upgrade na ito ay direktang tumutugon sa patuloy na pagtaas ng bandwidth at cooling demand na dulot ng mabilis na pagpapalawak ng AI accelerator computing power, na mahalaga para sa AI chip supply chain at kaugnay na pamumuhunan sa infrastructure.
HBM5: Upgrade sa 2 Nanometer Process, Inaasahang Mass Production sa 2028
Ayon sa ulat, ang HBM5 ay naglalayong magdoble ng performance kumpara sa HBM4E, at may kapansin-pansing pag-unlad sa power efficiency at thermal management. Inangat ng Samsung ang process node ng base die ng HBM5 mula sa 4 nanometer na gamit ng HBM4 at HBM4E patungo sa sarili nilang 2 nanometer node—isang mahalagang hakbang para sa HBM process technology.
Sa layer stacking, inihahanda ng Samsung ang tatlong DRAM stacking schemes para sa HBM5: 12-layer, 16-layer, at 20-layer, para tugunan ang iba’t ibang kapasidad at performance na kinakailangan sa aplikasyon. Inaasahang magsisimula ang mass production pagkatapos ng HBM4E, sa paligid ng 2028.
Ang 20% na pagbaba ng thermal resistance ay partikular na mahalaga—dahil sa patuloy na pagtaas ng power consumption ng AI accelerators, nagiging bottleneck sa system ang kakayahang maglabas ng init ng HBM. Makakatulong ang ganitong improvement sa pagpapanatili ng matatag na operasyon ng high-performance computing system.
zHBM: Disruptive na Arkitektura, Direktang Ini-stack ang Storage sa Itaas ng Processor
Itinuturing ng Samsung ang zHBM bilang isang ganap na bagong arkitektura, na naiiba sa tradisyonal na HBM. Ang tradisyonal na HBM ay inilalagay ang memorya sa gilid ng AI accelerators (xPU), habang ang zHBM ay direktang inalalapat sa itaas ng processor—drastikong pinapaikli ang data transmission path, na nagreresulta sa mas mataas na bandwidth at mas mahusay na power efficiency.
Layunin ng Samsung na maabot ng zHBM ang 8x performance ng HBM4E, 3x pagtaas ng performance per watt, at 75%-90% na pagbaba ng thermal resistance. Kapag natamo ang pagtalon na ito sa performance, malaki ang magiging pagbabago sa bandwidth density at power efficiency ng kasalukuyang HBM architecture.
Inaabangan ang zHBM pagkatapos ng 2029, bilang bahagi ng mas pangmatagalang technology reserve ng Samsung.
zNAND-O: NAND Density, DRAM Approaching Speed
Sa larangan ng NAND storage, naglunsad din ang Samsung ng mga advanced na teknolohikal na direksyon. Planong magsimula ng sample ng zNAND-O sa 2028, na may layuning umabot sa 10x ng DRAM density pero may 7x reading bandwidth at power efficiency ng NAND.
Ang disenyo ng teknolohiyang ito ay tutugon sa pangangailangan ng generative AI at malalaking language model (LLM) para sa "DRAM-level na bilis, NAND-level na kapasidad"—habang patuloy na lumalaki ang sukat ng mga model, ang trade-off sa pagitan ng speed at capacity sa kasalukuyang memory architecture ay nagiging bottleneck sa AI inference at training efficiency.
CUBE Strategy: Capacity, Utilization, Bandwidth at Efficiency Saman-samang Isinusulong
Sa Memory Executive Summit na gaganapin kasabay ng SEMICON Taiwan 2026, sistematikong ipinaliwanag ng Samsung ang kanilang "CUBE" na strategic framework.
Ayon kay Jangseok Choi, umiikot ang estratehiyang ito sa apat na pangunahing prayoridad: Capacity, Utilization, Bandwidth, at Efficiency.
Sa kapasidad, planong palawakin ng Samsung ang storage nang patayo, na pinapataas ang memory density nang hindi nadaragdagan ang PCB footprint;
Sa utilization, nilalampasan ng kumpanya ang simpleng stacking ng 3D memory, at in-ooptimize ang layout ng logic at storage para mabawasan ang latency;
Sa bandwidth, papalitan ng Samsung ang horizontal data path ng vertical high-speed channels upang mapaikling ang inter-chip distance;
Sa efficiency, nakatuon sa power at thermal management, minimiminize ang energy consumption kada bit ng data at maximizasyon ng performance per watt.
Ang pagpapakilala ng CUBE framework ay nagpapahiwatig na sinusubukan ng Samsung na gamitin ang sistematikong arkitektura sa pagbuo ng susunod na henerasyon ng memory products, sa halip na tumutok lang sa isa-isang performance indicator.
Disclaimer: Ang nilalaman ng artikulong ito ay sumasalamin lamang sa opinyon ng author at hindi kumakatawan sa platform sa anumang kapasidad. Ang artikulong ito ay hindi nilayon na magsilbi bilang isang sanggunian para sa paggawa ng mga desisyon sa investment.
Baka magustuhan mo rin
Ang 150 bilyong kita ay magiging "dividing line" ng AI business! Panatilihin ng Morgan Stanley ang "increase holdings" rating para sa Broadcom (AVGO.US), ngunit nagbabala na nakasalalay ang tagumpay o kabiguan sa pagkakaiba ng inaasahan
Ang Broadcom (AVGO.US) ay maglalathala ng ulat sa pananalapi para sa ikatlong quarter ng fiscal year 2026 pagkatapos magsara ang merkado sa Estados Unidos noong Setyembre 2 (madaling araw ng Setyembre 3, oras ng Beijing).
Ang Dow Jones ay bumagsak sa ilalim ng 50-araw na moving average sa unang pagkakataon sa loob ng limang buwan, nagpapadala ng babala mula sa technical analysis.
Ang Dow Jones ay bumagsak sa ilalim ng 50-day moving average sa unang pagkakataon sa halos limang buwan, habang ang S&P 500 at Nasdaq ay halos sumunod din, na nagpapahiwatig ng teknikal na pagbabago kung saan ang panandaliang momentum ng merkado ay nagiging negatibo. Ang pangunahing dahilan ng kasalukuyang pagwawasto ay ang paglapit ng pangmatagalang yield ng US Treasury sa 5% na marka, tumataas na presyo ng langis dulot ng sitwasyon sa Gitnang Silangan na nagdudulot ng pangamba sa inflation, at pressure sa interest rates dahil sa lumalaking utang. Sa maikling panahon, ang paglabag sa moving average ay maaaring mag-trigger ng pagbebenta mula sa mga quantitative at technical traders, na nagpapataas ng panganib ng matinding volatility sa merkado.
Mga presyo ng crypto
Higit pa
