ゴールドマン・サックスが世界の半導体製造装置投資を大幅に上方修正：メモリと先端ファウンドリーが主な牽引エンジン

ゴールドマン・サックスは今後3年間の世界半導体製造装置（WFE）支出予測を大幅に上方修正し、2026年から2028年の市場規模予想をそれぞれ1,500億、2,180億、2,810億ドルに引き上げました。今回の上方修正幅は従来予想を大きく上回っており、半導体資本支出サイクルが加速的に上昇局面へ突入していることを反映しています。

追風取引所によると、ゴールドマン・サックスは2026年8月23日に発表したリサーチレポートで、第2四半期の決算発表シーズンに開示された半導体資本支出データが概ね予想を上回り、加えて装置サプライヤーがより楽観的な見通しを示したことが、今回の大幅な予測修正の主因となったと指摘しました。このうち2026年のWFE前年同期比成長率予想は従来の32％から36％に、2027年は32％から45％に、2028年は12％から29％へと大幅な上方修正となっています。

ゴールドマン・サックスは半導体製造装置セクター全体に対する強気の見方を維持しており、今回の予測修正は装置セクターの投資家に直接的な指針となるものです。より高い資本支出予想は装置メーカーの受注の見通し向上を意味し、業界の好況サイクルが2028年まで継続する可能性が高まっています。

ファウンドリー：TSMCの生産拡張で先端プロセス装置需要が急増

レポートは2026年から2028年のファウンドリー分野のWFE予測をそれぞれ580億、840億、1,090億ドルに引き上げ、対応する前年同期比成長率はそれぞれ45％、45％、30％と、いずれも従来予測（30％、30％、16％）を大幅に上回っています。

主な牽引役はTSMCです。今回のアップデートではTSMCの2026年から2028年の年間資本支出予想をそれぞれ80億ドル引き上げた理由は、N2プロセスでの装置投資強度が予想以上に高く、かつ顧客需要が旺盛であるためです。レポートでは、N2プロセスが今後数四半期で量産立ち上げ段階に入ることで、ファウンドリー分野のWFEモメンタムは引き続き強く、先端ロジックプロセスがコアドライバーとなると指摘しています。

DRAM：HBM4への移行と能力拡張が支出持続的増加を促進

DRAM分野でも上方修正幅は顕著です。レポートは2026年から2028年のDRAM WFE予測をそれぞれ480億、720億、970億ドルに引き上げ、前年同期比成長率はそれぞれ50％、50％、35％と、従来予測（45％、45％、10％）を上回っています。特に2028年の成長率予想上昇が際立っています。

アナリストのGiuni LeeはSamsung Electronicsの2026年から2028年の平均DRAM資本支出予想を22％、SK Hynixを19％引き上げました。業界全体の支出が大幅に増加しているものの、DRAM供給は引き続きタイトで、生産能力制約の状態が2028年まで継続すると予想されています。ノードプロセスの移行やHBM4へのアップグレードがこの判断を支える主なロジックです。

NAND：足元はアップグレード中心、供給タイトは2027年まで継続

DRAMやファウンドリーに比べ、NAND分野の予測修正は穏やかで方向も分かれています。レポートは2026年のNAND WFE予測を110億ドルから110億ドルへ（ほぼ横ばい）とし、2027年は170億ドルから150億ドルに引き下げ、2028年は200億ドルから220億ドルに引き上げています。

NANDの足元の追加支出は大規模な新規生産能力増強ではなくアップグレード中心で、これが供給のタイトな状況を2027年まで維持する要因となります。2028年の支出加速はさらに長期的な生産能力拡張期待を反映しています。

ロジック及びその他：Intelの回復とTerafabプロジェクトが予想超えの増加要因

ロジック及びその他分野の予測上方修正幅は中長期的に特に顕著です。レポートは2026年から2028年のLogic/Other WFE予測をそれぞれ340億、470億、530億ドルに引き上げ、2027年予測は従来の350億ドルから34％増、2028年は370億ドルから43％増となっています。

この上方修正の主な要因は2つあります。第一にIntelの需要が予想を上回っており、関連資本支出予想の上方修正につながったこと。第二に、後工程プロセスやアナログ半導体市場が回復基調にあることです。さらに、SpaceXとテスラはTerafabプロジェクト初期段階で合計約168億ドルの投入を約束しており、関連支出がLogic/Other予測に組み込まれ、このセグメントの中期成長の重要な増加要素となっています。