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サムスンがFMS 2026で次世代3Dメモリーのロードマップを発表

サムスンがFMS 2026で次世代3Dメモリーのロードマップを発表

ReutersReuters2026/08/04 19:51
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  • Samsung Electronicsは、Santa Claraで開催されたFuture of Memory and StorageカンファレンスでAIメモリのロードマップを発表しました。
  • zHBMおよびzNAND-Oのコンセプトモデルを披露し、400層を超えるV10 BV-NANDを公開し、これらの技術をAIインフラ向けとして位置付けました。


免責事項: 本ニュースは、Public Technologies (PUBT) が生成AIを用いて作成したものです。PUBTは正確かつ迅速な情報の提供に努めていますが、AI生成コンテンツは情報提供のみを目的としており、金融、投資、法律上の助言として解釈すべきではありません。Samsung Electronics Co. Ltd.は2026年8月5日に本ニュースブリーフ作成の元となる原文を公開しており、その内容について全責任を負います。

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免責事項:本記事の内容はあくまでも筆者の意見を反映したものであり、いかなる立場においても当プラットフォームを代表するものではありません。また、本記事は投資判断の参考となることを目的としたものではありません。

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