KioxiaとSanDisk、FMSで共同開発した第10世代QLC 3D NAND技術を発表

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Reuters2026/08/04 13:36

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SanDiskはKioxiaと協力し、AIおよびクラウドストレージアーキテクチャをターゲットとした第10世代QLC 3Dフラッシュメモリを発表しました。
この技術はCBAウェハーボンディングを使用し、ビット密度は第8世代と比べて最大60%向上し、37 Gb/mm²を超えています。
インターフェース速度はToggle DDR6.0によって4.8 Gb/sに達し、設計上の変更により帯域幅が拡大し、I/O電力消費が削減されています。

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