Menurut laporan, Kioxia berencana untuk menggantikan sebagian DRAM dengan versi NAND yang telah diperbarui.

格隆汇 4 September｜Menurut informasi pasar, Kioxia baru-baru ini mengadakan presentasi teknis mengenai teknologi penyimpanan semikonduktor dan teknologi lainnya. Kioxia berencana untuk meningkatkan kecepatan pemrosesan NAND flash melalui modul CXL yang dirancang khusus untuk beban kerja kecerdasan buatan, menggantikan sebagian DRAM. Dilaporkan, modul CXL dapat memperpendek waktu yang dibutuhkan untuk membaca data hingga kurang dari sepersepuluh produk tradisional. Berkat kecepatan membaca data yang tinggi, performanya dapat semakin mendekati DRAM. Kioxia menyatakan bahwa jika sebagian DRAM diganti dengan modul CXL, kapasitas dapat meningkat hingga dua kali lipat dan performa meningkat 30%.