La concurrence entre la Corée et le Japon sur le marché du NAND atteint son paroxysme : Samsung et Kioxia produisent simultanément en série les dernières puces de stockage AI selon les spécifications les plus récentes

La configuration du marché mondial du NAND est en train de vivre une nouvelle course technologique. Cette année, Kioxia au Japon accélère la production en série de disques SSD PCIe 6.0 pour entreprises et de solutions de stockage mobile UFS 5.0, défiant directement la position de leader de Samsung Electronics dans le domaine du stockage pour l’IA. Le duel entre les géants coréens et japonais du stockage autour de leurs nouveaux produits s'intensifie fortement.

Selon le média technologique sud-coréen ZDNet, Kioxia a lancé début juillet la production en série du dixième génération (BiCS 10) de 3D NAND à son usine de Kitakami, dans la préfecture d’Iwate au Japon, et a concrétisé la commercialisation de l’unité SSD PCIe 6.0 CM10 basée sur cette puce. Samsung Electronics a également annoncé la production en série de son SSD PCIe 6.0 PM1763 au même moment, et a dévoilé que la production en série de la dixième génération V-NAND (V10) débuterait ce mois-ci, ce qui met les deux fabricants en confrontation directe sur ce créneau stratégique. La commercialisation simultanée des dernières spécifications par les deux entreprises accélèrera l’amélioration des performances de stockage pour les centres de données IA et le marché IA côté client, et aura un impact profond sur la structure actuelle de l’offre.

En termes de parts de marché, selon les données de l’organisme d’étude de marché TrendForce, au premier trimestre 2026, Samsung Electronics occupe la première place mondiale du marché du NAND avec 31,6 %, SK Hynix se classe deuxième avec 17,6 %, tandis que Kioxia est troisième avec 13,9 %. Même si la taille de Kioxia est inférieure à celle des entreprises coréennes, son rythme d’innovation technologique dans le stockage haute performance pour l’IA s’accélère, augmentant la pression concurrentielle sur le marché.

Kioxia concentre son offensive technologique sur la dixième génération de NAND. BiCS 10 adopte une technologie de stacking à 332 couches, et la production en série a débuté début juillet à l’usine K2 de Kitakami. Samsung Electronics et SK Hynix ont déjà lancé la production en série de leur neuvième génération de NAND ; bien que la définition du nombre de couches diffère selon les fabricants, rendant la comparaison directe difficile, le fait que Kioxia ait réalisé en premier la production de NAND à plus de 300 couches constitue une avancée technologique significative.

Sur cette base, Kioxia propose le PCIe 6.0 eSSD CM10 destiné au marché des centres de données. PCIe 6.0 est la toute dernière norme d’interface commercialisée cette année. Selon Kioxia, le CM10 offre jusqu’à 92 % d'amélioration en lecture séquentielle et environ 85 % en lecture aléatoire par rapport à la génération précédente.

Du côté IA client, Kioxia prévoit de lancer la production en série de la solution de stockage UFS 5.0 d’ici la fin de l’année. UFS 5.0, nouvelle norme de stockage embarqué commercialisée cette année, vise principalement les scénarios NAND mobiles, avec une vitesse de traitement doublée par rapport à la génération précédente UFS 4.1. La solution UFS 5.0 de Kioxia est équipée d’un contrôleur développé en interne et de la huitième génération de NAND.

Samsung Electronics multiplie également les initiatives dans le secteur du NAND cette année. Le PM1763 est entré en production en série début juillet, intégrant la neuvième génération de V-NAND et un nouveau contrôleur de 4 nm, devenant le premier produit commercial de Samsung dans la catégorie PCIe 6.0.

Pour le stockage mobile, Samsung a terminé le développement du produit UFS 5.0 en juin, et prévoit de lancer sa production en série au quatrième trimestre de cette année. Ce produit, basé sur la neuvième génération de NAND, offre une bande passante de transfert de données de 10,8 Go/s, Samsung le positionnant en tant que niveau le plus élevé de l’industrie, tout en optimisant l’efficacité énergétique.

L’annonce la plus attendue sur le marché est le démarrage de la production en série du V10 NAND chez Samsung. V10 devrait comporter plus de 430 couches, et introduit pour la première fois la technologie d’hybrid bonding et l’architecture trois-stack (3-Stack), marquant l’entrée de Samsung dans une nouvelle ère des procédés du NAND. Selon des sources du secteur des semi-conducteurs, Samsung a récemment terminé l’approbation interne de la production en série du V10 (PRA), et a officiellement annoncé son projet de production en série. Cependant, elles précisent également que les investissements dans les équipements de production en masse n’ont pas encore été pleinement engagés, et que la production initiale restera probablement à un niveau relativement faible.

La focalisation de la compétition entre les fabricants coréens et japonais est essentiellement portée sur les cas d’usage liés à l’IA. PCIe 6.0 cible les besoins de stockage à haut débit pour les centres de données IA, tandis que UFS 5.0 répond à la demande croissante de performance locale pour les équipements IA côté client ; les deux lignes de produits correspondent parfaitement à la direction actuelle de l’expansion de l’industrie IA.

L’adaptation rapide de Kioxia montre que le cycle d’innovation technologique du marché mondial du NAND se raccourcit ; l’écart de fenêtre de commercialisation des nouveaux produits entre les principaux fabricants a été grandement réduit. Pour les investisseurs dans les infrastructures IA, les goulots d’étranglement de performance du stockage pourraient être réellement allégés entre cette année et l’année prochaine avec la production en série à grande échelle des nouveaux produits spécifiés.