Conférence téléphonique des experts du stockage de Goldman Sachs en Corée : le prix de la DRAM continuera d'augmenter cette année, le prix du HBM explosera l'année prochaine, la part de couverture des contrats à long terme sera encore élargie

Goldman Sachs a organisé le 28 juillet un webinaire sur les experts coréens du stockage et publié un compte rendu le 29 juillet. Les participants pensent que les prix du DRAM traditionnel maintiendront cette année une forte croissance à "deux chiffres en pourcentage", et que le HBM a une marge de hausse ou même de doublement l’année prochaine. Les contrats à long terme renforcent davantage la contrainte sur le marché, et la menace des concurrents chinois reste limitée à moyen terme. Goldman Sachs maintient sa recommandation d’achat sur Samsung Electronics.

Le DRAM continue d’augmenter cette année, le HBM pourrait doubler l’an prochain

Les experts ont donné un avis clair sur la tendance des prix du DRAM cette année.

D’après le compte rendu, les experts prévoient une croissance trimestrielle à deux chiffres en pourcentage des prix du DRAM traditionnel au troisième trimestre 2026, ce qui coïncide avec la récente forte reprise des prix de la vente au comptant. Au quatrième trimestre, soutenus par une pénurie persistante de l’offre, les experts estiment qu’"une nouvelle croissance à deux chiffres sur le trimestre" reste possible.

Ils pensent que, comme l’offre n’augmente pas visiblement et que la demande liée aux serveurs AI reste soutenue, les prix ont tendance à augmenter naturellement et il est difficile qu’ils baissent.

L’histoire du HBM est encore plus agressive. Les experts estiment que la hausse des prix du DRAM entraînera un potentiel de doublement des prix du HBM l'année prochaine. Selon la prévision de Goldman Sachs : le prix du Samsung HBM devrait augmenter de 87% en glissement annuel en 2027, un chiffre supérieur à la prévision consensuelle de 52% compilée par Bloomberg.

La force d’attachement des contrats à long terme se renforce, plus de la moitié des serveurs DRAM déjà verrouillés

La réalisation des prix dépend de la stricte application des contrats.

Selon le compte rendu, les experts soulignent que les accords à long terme (LTA) comportent de nombreuses clauses contraignantes : paiement d’avance important, clauses "take-or-pay" et pénalités pour résiliation du contrat. Une fois le contrat signé, le coût de sortie pour l’acheteur est très élevé.

Actuellement, plus de la moitié du DRAM pour serveurs est couvert par des LTA, et les experts s’attendent à ce que ce pourcentage augmente à l’avenir.

Pour les fabricants de stockage, cela signifie une meilleure visibilité sur les revenus et davantage de pouvoir de négociation sur les prix. Dans son analyse d’investissement, Goldman Sachs indique clairement que, par rapport au passé, cette génération de LTA est plus contraignante, ce qui devrait soutenir les prévisions de bénéfices de Samsung.

Les fabricants chinois ne représentent pas une menace à court ou moyen terme

Le marché s’est toujours inquiété de l’impact de l’expansion de la production des fabricants chinois de stockage, mais les experts restent prudents.

D’après le compte rendu, les experts reconnaissent que les fournisseurs chinois élargissent activement leur capacité, mais jugent que leur probabilité de devenir une menace sérieuse pour les principaux acteurs à court ou moyen terme est faible. La raison en est que les fabricants chinois restent derrière les leaders en matière de rendement de production et de niveau technologique.

En d’autres termes, l’augmentation de la capacité ne signifie pas une offre effective, et les barrières technologiques sont difficiles à franchir à court terme.

Accélération de l’expansion de capacité, mais la croissance effective des bits reste limitée

La capacité augmente, mais l’augmentation réelle de l’offre ne suit pas.

D’après le compte rendu, les experts s’attendent à ce que la vitesse d’expansion de capacité soit supérieure à la moyenne historique cette année. Cependant, comme le rapport d’utilisation des wafers pour HBM est élevé—la production de la même quantité de HBM consomme plus de wafers DRAM—la croissance effective des bits devrait être inférieure à la moyenne historique.

Ceci est la clé pour comprendre la structure actuelle de l’offre et la demande : la capacité augmente en surface, mais l’offre effective pour le DRAM traditionnel n’augmente pas de façon synchrone, ce qui constitue la raison structurelle de la hausse continue des prix.

Technologie de liaison hybride : avancée progressive, non révolutionnaire

Sur la feuille de route technologique du HBM, la liaison hybride (hybrid bonding) est considérée comme la direction de nouvelle génération, mais les experts restent prudents quant à son calendrier d’adoption.

D’après le compte rendu, les experts estiment qu’avec l’augmentation du nombre de couches empilées dans les puces DRAM, la technologie de liaison actuelle fera face à de plus en plus de défis. En parallèle, ils ne s’attendent pas à une adoption massive anticipée de la liaison hybride, car "atteindre un rendement suffisant à l’échelle de production nécessite beaucoup de temps et d’efforts".

Les experts pensent que les fabricants de stockage exploreront plusieurs voies technologiques, dont la liaison sans flux (fluxless bonding), tout en introduisant progressivement la liaison hybride au lieu de procéder d’un seul coup.

Sur la base de ces analyses, Goldman Sachs maintient sa recommandation d’achat sur les actions ordinaires de Samsung Electronics, avec un objectif de cours à douze mois de 480 000 wons et un objectif pour les actions préférentielles à 360 000 wons.

Le rapport précise que Samsung commence à afficher des "progrès significatifs" dans le domaine du HBM, et avec des perspectives de rendement pour les actionnaires plus élevées, maintient une vision positive sur l’action. Les principaux risques à la baisse comprennent : forte détérioration de l’offre et de la demande du stockage, baisse significative des marges de l’activité smartphone, et perte de parts de marché OLED mobile.