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2027 connaîtra la plus grave pénurie de mémoire de l'histoire ?

2027 connaîtra la plus grave pénurie de mémoire de l'histoire ?

deeptech深科技deeptech深科技2026/07/13 12:27
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Par:deeptech深科技
7 juillet, lors de son entrée au Nasdaq, le PDG de SK hynix, Kwak Rooc Jung, a averti que le secteur mondial des puces mémoire connaîtra en 2027 la plus grave pénurie d’approvisionnement de son histoire, la demande des clients dépassant la capacité de production, situation qui pourrait même perdurer au-delà de 2030. Auparavant, le PDG de Micron, Sanjay Mehrotra, avait également déclaré qu'il n'était pas clair quand l'offre pourrait rattraper une demande qui ne cesse de croître. Jensen Huang, fondateur de Nvidia, estime quant à lui que la pénurie de mémoire liée à l’IA va durer plusieurs années, et que SK hynix restera le plus grand fournisseur de mémoire de Nvidia.Trois figures clés du secteur ont intensément lancé des avertissements, derrière lesquels se profile une « pénurie de mémoire » potentiellement unique en quarante ans, propulsée par l’IA.Au cours des dernières décennies, la DRAM a été le produit cyclique par excellence : la demande augmente, les fabricants étendent leur capacité, celle-ci se libère, les prix baissent. Mais cette fois-ci, c’est différent : l’IA crée une nouvelle demande tout en comprimant l’offre.À partir de 2023, la demande de HBM (mémoire à large bande passante pour l’IA) augmente rapidement. La capacité mensuelle de plaquettes dédiées au HBM chez les trois principaux fabricants de mémoire — Samsung, SK hynix et Micron — est passée d’environ 123 000 unités fin 2023 à environ 331 000 unités fin 2025, avec une prévision de 668 000 unités par mois fin 2027. À ce moment-là, le HBM pourrait représenter 35% de la capacité totale de DRAM de ces trois géants.Le problème, c’est que le HBM n’est pas de la DRAM standard. Il nécessite une surface de puce plus grande, des vias traversants, un amincissement des plaquettes, un traitement du revers et un empilement complexe, rendant sa fabrication plus difficile et son taux de rendement plus bas. Par exemple, pour un empilement HBM3E en 12 couches, une plaquette donne trois fois plus de bits de DRAM classique que de HBM ; avec l’arrivée du HBM4, l’écart pourrait atteindre près de quatre fois.Cela signifie que plus les fabricants se tournent vers le HBM, plus la DRAM classique devient rare. SemiAnalysis prévoit qu’en 2026-2027, le déficit d’approvisionnement en DRAM standard pourrait durer près de 7% ; le manque de HBM pourrait passer d’environ 6% en 2026 à environ 9% en 2027. Il s’agit d’une double pénurie rare : les serveurs IA se disputent le HBM, tandis que les PC, smartphones et serveurs généraux se partagent le reste de la capacité DRAM.Du côté de l’offre, la réponse rapide est difficile. Construire une nouvelle usine avancée de mémoire nécessite des investissements de plusieurs milliards de dollars et des années de travaux ; salle blanche, installation des équipements, validation et amélioration du rendement demandent du temps. Les nouvelles capacités ajoutées en 2026 se concentreront principalement sur Samsung P4, SK hynix M15X et Micron A3, les deux derniers continuant à privilégier le HBM. Une véritable production à grande échelle pourrait n’être disponible qu’au second semestre 2027.Les prix montent donc rapidement. Le rapport prévoit qu’au premier trimestre 2026, les prix contractuels du DDR5 et du LPDDR5 augmenteront respectivement de 70% et 35% d’un trimestre sur l’autre ; sur l’année du quatrième trimestre 2025 au quatrième trimestre 2026, le prix de la DRAM pourrait encore doubler.Le super cycle est une arme à double tranchant. Les fabricants de mémoire voient leurs profits s’améliorer, mais les coûts de matériaux pour fabricants de téléphones, PC et serveurs IA ne cessent de croître, obligeant les marques à répercuter la hausse via des augmentations de prix, des équipements réduits ou une réduction des envois.Ce qui déterminera réellement la fin de ce cycle, ce n’est pas seulement un ralentissement de la demande, mais aussi la mise en service de nouvelles usines de plaquettes, la migration vers les nœuds 1b et 1c, l’amélioration du rendement du HBM4 et le retour ou non des fabricants à la discipline du capital. Du moins, pour l’instant, ce cycle mémoire propulsé par l’IA pourrait être plus intense et plus long que ceux du passé.
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