Samsung (SSNLF.US) presenta su "bomba tecnológica" de memoria 3D: primera exhibición de la V-NAND de 400 capas y el concepto zHBM, apuntando directamente al trono de la memoria para IA

Según informa Jinse Finance, el martes pasado Samsung Electronics (SSNLF.US) presentó en la conferencia “Future Memory & Storage” realizada en Santa Clara, California, su tecnología de memoria de próxima generación orientada a la era de la inteligencia artificial (AI). Allí mostró un prototipo de V10 BV-NAND con más de 400 capas, la memoria vertical apilada de alto ancho de banda zHBM y la arquitectura zNAND-O, con el objetivo de consolidar su liderazgo en el mercado de chips de almacenamiento valorado en cerca de 1 billón de dólares y acelerar el avance frente a SK Hynix y Micron Technology (MU.US), pioneros en el campo de memoria para AI.

Siendo el mayor fabricante mundial de chips de memoria, Samsung presentó por primera vez en el evento su prototipo V10 Bonding V-NAND (BV-NAND). Este chip utiliza una arquitectura de unión de obleas completamente nueva, apilando más de 400 capas. Esto representa un aumento de densidad de almacenamiento de aproximadamente el 58% respecto a la generación anterior V9 NAND, además de mejorar la velocidad de lectura/escritura y el rendimiento de entrada/salida. A medida que las cargas de trabajo AI evolucionan del entrenamiento de modelos de lenguaje grandes a la generación en tiempo real de respuestas a consultas de usuarios, la demanda de NAND flash de alta capacidad y eficiencia energética está creciendo rápidamente. Samsung espera que esta tecnología satisfaga mejor las necesidades de almacenamiento de sistemas de AI intensivos en datos.

En un campo aún más innovador, Samsung presentó los modelos conceptuales que denomina los primeros zHBM y la arquitectura zNAND-O de la industria, esbozando la hoja de ruta futura de la memoria apilada 3D.

A diferencia del HBM tradicional que actualmente se ubica junto al procesador AI, zHBM apila verticalmente memoria de alto ancho de banda sobre el acelerador AI, acortando considerablemente la distancia de transferencia de datos. Según Samsung, este sistema ofrece un aumento de rendimiento de aproximadamente ocho veces respecto a la próxima generación HBM5, multiplica por más de diez la densidad de memoria, triplica la eficiencia energética, reduce la resistencia térmica a la mitad e incluso permite diseños personalizados. Sin embargo, la empresa todavía no detalla un calendario de producción en masa para HBM5 y zHBM, aunque planea ampliar primero la producción de HBM4 en la segunda mitad de este año. Por otra parte, el zNAND-O, también presentado, se basa en tecnología V-NAND y está optimizado para aplicaciones AI en tiempo real y con procesamiento de datos intensivo.

La ofensiva tecnológica de Samsung llega en un momento de intensa competencia entre gigantes de chips de almacenamiento por pedidos de centros de datos AI. SK Hynix goza de ventaja por su temprana entrada en el mercado de memorias para AI, mientras que Micron también está pujando activamente. Samsung enfatizó su papel de “proveedor integral de infraestructura AI”, avanzando no solo en hardware de memoria, sino también revelando la hoja de ruta de su próxima generación de chips computacionales en memoria y soluciones de almacenamiento empresarial de alta capacidad.

Por el lado de la demanda, aunque algunos inversores temen que la debilidad del mercado chino de smartphones afecte a la demanda de memoria en el largo plazo, los analistas siguen siendo optimistas sobre la fuerte tracción de la AI. La semana pasada, Samsung reveló que los acuerdos de largo plazo firmados con clientes podrían representar entre el 60% y el 70% de sus ventas de memorias.

Analistas de Citi también señalaron el mes pasado que, pese a la preocupación por una debilidad del mercado final, los inventarios de toda la cadena de suministro de DRAM y NAND se mantienen significativamente por debajo de los niveles históricos, lo que proporcionará un colchón para la industria y reforzará las expectativas de crecimiento impulsadas por la AI.