「訂單未改預期，信心已然重估」美國銀行：ASML三巨頭合作鞏 固High-NA長期路線圖
週二，ASML 成為市場焦點，美國銀行對該公司與台積電、Intel 及三星達成的額外晶片製造設備供應協議表示讚賞。
據智通財經APP報導，週二，ASML 成為市場焦點，美國銀行對該公司與台積電、英特爾及三星達成的額外晶片製造設備供應協議表示讚賞。該行分析師塞馬馬重申對 ASML 的「買入」評級，並維持2,452歐元的目標價不變。他表示，推動12英寸光罩基板生態系統的建設，對於克服 High-NA 技術目前的限制具有關鍵意義。
9月8日，荷蘭光刻機巨頭 ASML 連續發布多項公告，宣布與全球三大晶片製造商台積電、英特爾和三星電子達成下一代高數值孔徑（High-NA）極紫外線（EUV）光刻設備的合作承諾。三大巨頭同步披露了各自的 High-NA 量產時間表，並聯合發起了一項更深遠的產業倡議：推動沿用數十年的6英寸光罩基板標準向12英寸大尺寸光罩基板過渡。
High-NA EUV 被視為現有 EUV 光刻技術的劃時代升級。現行商用 EUV 設備的數值孔徑（NA）為0.33，而 High-NA EUV 則將此數值提升至0.55，光刻解析度大幅提高。這意味著晶片製造商能夠在相同面積的晶圓上集成更多電晶體——電晶體尺寸可縮小約1.7倍，密度提升近3倍。
美銀分析師迪迪埃‧塞馬馬（Didier Scemama）在給客戶的報告中寫道：「這些公告與我們對於 High-NA（高數值孔徑）EUV 設備採用步伐的預測一致（今年5台、明年6台、2030年達20台）。」
他指出：「雖然這些訂單並未改變我們的財務預測，但顯著增強了市場對產業鏈圍繞統一 High-NA 路線圖協同推進的信心。英特爾的量產實踐表明，客戶目前即可在現有光罩基板制式下應用該技術；而台積電、ASML 與三星的聯合倡議，則為未來充分釋放 High-NA 的生產效率優勢鋪平了更長遠的道路。」
「這對日益增大的 AI 加速器及光罩尺寸級 GPU 尤為重要，可使相關設計在製造過程中避免因拼接工藝帶來的良率風險，」塞馬馬進一步表示。「該倡議目標於2031年前建成12英寸光罩基板試點線，並於2033年前實現量產就緒。」
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