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據報導,三星電子正配合NVIDIA要求開發8層第七代高寬頻存儲器(HBM4E),相比原計劃的12層、16層方案顯著降低堆疊高度。NVIDIA提出的速度規格為17-18Gbps,較三星初期HBM4E 14.4Gbps的樣品速度高出約20%。據悉,該產品將用於NVHBM。(Seoul Economic Daily)

據報導,三星電子正配合NVIDIA要求開發8層第七代高寬頻存儲器(HBM4E),相比原計劃的12層、16層方案顯著降低堆疊高度。NVIDIA提出的速度規格為17-18Gbps,較三星初期HBM4E 14.4Gbps的樣品速度高出約20%。據悉,該產品將用於NVHBM。(Seoul Economic Daily)

智通财经智通财经2026/08/31 05:31
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據報導,三星電子正在配合NVIDIA的要求開發8層第七代高頻寬記憶體(HBM4E),這比原先計劃的12層、16層方案大幅降低了堆疊高度。NVIDIA提出的速度規格為17-18Gbps,約比三星初期HBM4E 14.4Gbps樣品的速度高出20%。據悉,該產品將應用於NVHBM。(首爾經濟日報)
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