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SK海力士正在為其下一代HBM解決方案引入包括英特爾EMIB在內的先進封裝技術,並計劃最終邁入3D封裝時代。在2026年的Hot Chips大會上,SK海力士封裝工程副總裁Jaesik Lee發表了題為「高頻寬記憶體的先進封裝」的報告,詳細闡述了公司將如何利用先進封裝技術加速其HBM產品路線圖。目前SK海力士正在探索混合鍵合(Hybrid Bonding)等方法,以突破16層堆疊的限制。未來,SK海力士還計劃通過增加TSV數量、提升邏輯工藝整合的IO速度,以及優化電源分配網絡(PDN),來解決功耗挑戰。

SK海力士正在為其下一代HBM解決方案引入包括英特爾EMIB在內的先進封裝技術,並計劃最終邁入3D封裝時代。在2026年的Hot Chips大會上,SK海力士封裝工程副總裁Jaesik Lee發表了題為「高頻寬記憶體的先進封裝」的報告,詳細闡述了公司將如何利用先進封裝技術加速其HBM產品路線圖。目前SK海力士正在探索混合鍵合(Hybrid Bonding)等方法,以突破16層堆疊的限制。未來,SK海力士還計劃通過增加TSV數量、提升邏輯工藝整合的IO速度,以及優化電源分配網絡(PDN),來解決功耗挑戰。

智通财经智通财经2026/08/24 01:21
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SK海力士正在為其下一代HBM解決方案引入包括英特爾EMIB在內的先進封裝技術,並計劃最終邁入3D封裝時代。在2026年的Hot Chips大會上,SK海力士封裝工程副總裁Jaesik Lee發表了題為「高帶寬記憶體的先進封裝」的報告,詳細闡述了公司將如何利用先進封裝技術加速其HBM產品路線圖,目前SK海力士正在探索混合鍵合(Hybrid Bonding)等方法,以突破16層堆疊的限制。未來,SK海力士還計劃通過增加TSV數量、提高邏輯工藝整合的IO速度,以及優化電源分配網路(PDN)來解決功耗挑戰。
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