Critini分析師：Samsung與SK Hynix正重新評估HBM混合鍵合技術的採用時機，技術轉換可能將延遲

7月6日，Critini Research 分析師 Jukan 指出，Samsung 和 SK Hynix 正在重新評估於 HBM 採用混合鍵合（hybrid bonding）的時機，甚至在 HBM5 階段都可能不會實現。這背後有兩個核心原因：第一，JEDEC 正在討論放寬 HBM5 的厚度標準，最高可至約 1000μm（HBM3E 為 720μm，HBM4 已放寬至 775μm）。隨著標準的放寬，混合鍵合無凸塊的削薄優勢變得不再迫切；第二，散熱方面已有更簡單的替代方案——Samsung 已開發 Heat Path Block，SK Hynix 則推出了 iHBM（ICE HBM），這兩者都是在 HBM 側邊設置獨立的散熱裝置，預計從 HBM5 起應用，技術難度較低且商業化更為穩定。此外，包括 Nvidia 在內的主要客戶目前對於超過 16 層的高堆疊產品需求並不迫切，12 層產品在 HBM4E 階段仍可能為主流。不過，混合鍵合的研發並未停滯。目前，HBM4 的 I/O 數提升一倍至 2048，現有 TC 熱壓鍵合工藝已接近極限；若未來 HBM5E 階段 I/O 數再翻倍至 4096，凸塊的側向擴散將讓 TC 鍵合難以負荷，屆時需採用銅直接鍵合進行混合鍵合，以實現更高密度連接。Jukan 評估，短期內由於厚度及散熱有更簡單方案，混合鍵合不會大規模部署；但中長期來看，當 I/O 密度再度激增時，混合鍵合仍將是不可避免的方向。這將直接影響如 Besi 等混合鍵合設備核心供應商的市場預期，技術路線延後意味相關設備訂單放量節奏也需重新評估。