韓媒：三星電子與SK海力士或延後導入下一代HBM混合鍵合技術

據Odaily報導，根據韓國媒體消息，三星電子與SK海力士正重新評估下一代高頻寬記憶體（HBM）採用混合鍵合（Hybrid Bonding）技術的時程。由於HBM對於厚度縮減及散熱效能提升的需求有所下降，市場預期該技術的導入時間可能較先前預期進一步延後。同時，兩家公司目前正分別開發HPB與iHBM等新型散熱方案，並計劃應用於HBM5產品。不過，業界認為，隨著未來HBM I/O數量持續增加，混合鍵合同樣將是中長期的重要技術路線。