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0724存储周报 — 长协抬高底部、推理扩散至NAND、设备兑现仍有时差

0724存储周报 — 长协抬高底部、推理扩散至NAND、设备兑现仍有时差

404k404k2026/07/25 02:16
作者:404k


太长不看

1.DRAM/HBM 的确定性仍然最高,但长协不能消灭周期。 韩国 HBM 第二季度出口环比增长约39%,6月较3月增长46%;三星电子的出口回归值明显超出此前预期,SK海力士则大致符合预期。订单和产能锁定抬高了盈利底部,价格若跌破违约成本,客户仍可能弃约,因此不能把长期协议当成固定价格债券。

2.AI 推理正在把存储需求从“最快的 HBM”扩散到“更大的 DRAM 和更便宜的 NAND”。 Vera Rubin 的单 GPU NAND 配置研究假设从4TB升至20—21TB,机架 CPU 内存也可能增至约3倍。KV cache 压缩会降低单位任务占用,但长上下文、更大模型和更多并发会再次填满节省出的容量,净需求仍要用实际配置验证。

3.NAND/eSSD 是本轮弹性最大的方向,也是最容易被供给打断的方向。 企业级 SSD 报价和营收出现高弹性,闪迪、铠侠与三星电子受益于 AI 存储层级扩容;反面是长江存储份额提升、新厂投产和 QLC 扩产可能更快补上供给。应盯合同价、企业级产品占比和晶圆投片,而不是只看现货情绪。

4.HDD 的逻辑更像现金流交易,不宜照搬 NAND 的涨价叙事。 AI 数据湖和 nearline 容量增长支持希捷科技、西部数据的订单与积压,但本周材料没有新的 exabyte 出货、按单生产或自由现金流指引。上游玻璃基板需求强,却没有因短缺主动提价,说明产业链景气不等于每个环节都有同样价格权。

5.设备、测试和材料的方向正确,兑现节奏分化。 AI 数据中心远期晶圆需求同时拉动 DRAM、HBM、NAND 和逻辑设备;美光新增存储测试设备订单提供近端验证。混合键合在逻辑端更清楚,HBM 端仍可能被传统热压键合延寿,先看量产订单、成交价和客户认证。

6.下游成本传导已经成为本轮上行周期的主要反证。 研究测算中,Vera Rubin 数据中心的投资指数可由1升至1.3,优化配置后仍约1.25。AI 云厂商可能靠竞争压力继续投入,但手机、PC、网络设备和汽车会更早选择减配、延后采购或转向通用器件。

7.股票端从“供需确认”进入“兑现与拥挤并存”。 本周美光、闪迪、西部数据和希捷科技均录得双位数涨幅,存储 ETF 涨幅更高。排序仍是高端 DRAM/HBM 的客户锁定优先、NAND/eSSD 的价格弹性其次、HDD 的订单与现金流随后;交易层面要给拥挤度和利率波动留出折价。

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  • 本周总判断
  • 本周变化路径
  • 存储相关标的周度表现
  • DRAM/HBM:供给权、长协与客户认证
  • LPDDR/SoCAMM:AI CPU 与机架内存外溢
  • NAND/eSSD/SSD:推理、RAG 与企业 SSD 弹性
  • HDD:AI 数据湖、nearline exabyte 与现金流
  • 设备、测试与材料:存储 capex 的二阶受益
  • 下游成本与需求破坏:服务器、网络设备、手机、PC、EV
  • 投资排序、风险与证伪
  • 下周观察

存储景气仍在上行,但股价已经开始交易更远的供给约束。胜负不只看涨价,还要看长协质量、客户认证,以及下游会不会被成本逼到减配。

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