全球存储深度更新：3Q26 DRAM涨价21%、HBM4订单与NAND 10%+验证

太长不看

1.3Q26 DRAM业绩低于预期的担忧可能偏早。 美银把全球DRAM平均售价（ASP）环比涨幅定在21%，高于TrendForce对传统DRAM的13%-18%和包含高带宽内存（HBM）后的8%-13%。价格斜率确实低于2Q26，但服务器合同价、7月现货和紧急订单都说明利润平台仍高。

2.最硬的需求来自服务器DRAM和HBM4。 新签服务器DRAM合同价环比上涨20%-30%，高于市场20%以内的预期；更高价格的HBM4订单开始替代HBM3E。AI需求不只增加HBM用量，还在挤占普通DRAM晶圆，令DDR5和成熟DDR4同时偏紧。

3.长期协议没有把涨价完全锁死。 美银渠道检查显示，长期协议覆盖低于总销量的50%，非长期协议仍占60%-70%；即使长期协议内，也有5%-10%的环比提价。存储利润并非已经被固定价格封顶，真正要看的是合同覆盖、重谈频率和最低采购量。

4.NAND仍能涨，但证据弱于DRAM。 1Tb晶圆现货单周上涨4%，部分整机厂紧急订单支持3Q26 NAND平均售价上涨10%以上；但512Gb晶圆现货仍偏弱，4-7月合同价每月只涨1%-5%。NAND的上行更依赖企业级固态硬盘、补库存和产品组合，不是全市场同步短缺。

5.资本开支强，终端需求却不是单边向上。 台积电把2026年资本开支指引提高到600亿-640亿美元，阿斯麦下半年指引也偏强；韩国半导体出口、中国集成电路进口金额大增，但中国智能手机2Q26出货同比下降4.3%。供应链景气很强，消费端价格承受力已经进入验证期。