"Đơn đặt hàng không thay đổi dự báo, niềm tin đã được đánh giá lại" Bank of America: Ba ông lớn ASML (ASML.US) hợp tác củng cố lộ trình High-NA dài hạn

Theo thông tin từ Jinse Finance, vào thứ Ba, ASML (ASML.US) đã trở thành tâm điểm của thị trường khi Bank of America bày tỏ sự đánh giá cao đối với thỏa thuận bổ sung cung cấp thiết bị sản xuất chip mà công ty này đã đạt được với TSMC (TSM.US), Intel (INTC.US) và Samsung. Nhà phân tích của ngân hàng này, Didier Scemama, đã nhắc lại khuyến nghị "mua vào" đối với ASML, đồng thời giữ nguyên giá mục tiêu 2.452 euro. Ông cho biết, việc thúc đẩy xây dựng hệ sinh thái nền tảng quang nạ 12 inch có ý nghĩa then chốt trong việc vượt qua các giới hạn hiện tại của công nghệ High-NA.

Ngày 8 tháng 9, ông lớn máy quang khắc Hà Lan ASML đã liên tiếp công bố nhiều thông báo, chính thức xác nhận đạt được cam kết hợp tác về thiết bị quang khắc cực tím EUV thế hệ tiếp theo với khẩu độ số cao (High-NA) cùng ba nhà sản xuất chip lớn nhất thế giới là TSMC, Intel và Samsung Electronics. Ba ông lớn đồng thời công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt High-NA của riêng mình, đồng thời phát động một sáng kiến ngành có tầm ảnh hưởng sâu rộng hơn: Thúc đẩy quá trình chuyển đổi tiêu chuẩn quang nạ 6 inch được sử dụng hàng chục năm qua sang quang nạ kích thước lớn 12 inch.

High-NA EUV được coi là bản nâng cấp đột phá của công nghệ quang khắc EUV hiện có. Các thiết bị EUV thương mại hiện nay có khẩu độ số (NA) là 0,33, trong khi High-NA EUV nâng con số này lên 0,55, giúp độ phân giải quang khắc tăng mạnh. Điều này đồng nghĩa với việc các nhà sản xuất chip có thể tích hợp nhiều bóng bán dẫn hơn trên cùng một diện tích wafer — kích thước bóng bán dẫn có thể giảm khoảng 1,7 lần, mật độ tăng gần gấp 3 lần.

Nhà phân tích Didier Scemama của Bank of America viết trong báo cáo gửi khách hàng: “Những thông báo này phù hợp với dự báo của chúng tôi về tiến độ áp dụng thiết bị EUV với khẩu độ số cao (High-NA) (năm nay 5 máy, năm sau 6 máy, đến năm 2030 là 20 máy).”

Ông chỉ ra: “Mặc dù các đơn đặt hàng này không thay đổi dự báo tài chính của chúng tôi, nhưng chúng đã tăng cường đáng kể sự tin tưởng của thị trường vào việc toàn chuỗi cung ứng đồng thuận triển khai theo lộ trình High-NA thống nhất. Thực tiễn sản xuất hàng loạt của Intel cho thấy khách hàng đã có thể áp dụng công nghệ này với chuẩn quang nạ hiện tại; còn sáng kiến chung của TSMC, ASML và Samsung lại mở ra hướng đi lâu dài để tận dụng tối đa hiệu suất sản xuất của High-NA trong tương lai.”

“Điều này đặc biệt quan trọng với các bộ tăng tốc AI ngày càng lớn và GPU có kích thước mask lớn, giúp các thiết kế liên quan giảm rủi ro lỗi do kỹ thuật ghép khi sản xuất,” Scemama tiếp tục nhấn mạnh. “Sáng kiến này đặt mục tiêu xây dựng dây chuyền thử nghiệm quang nạ 12 inch trước năm 2031 và sẵn sàng sản xuất hàng loạt trước năm 2033.”