Samsung giới thiệu lộ trình bộ nhớ 3D thế hệ tiếp theo tại FMS 2026
Reuters2026/08/04 19:51- Samsung Electronics đã trình bày lộ trình bộ nhớ AI tại hội nghị Future of Memory and Storage ở Santa Clara.
- Hãng đã giới thiệu các mẫu concept zHBM và zNAND-O, đồng thời ra mắt V10 BV-NAND với hơn 400 lớp, định vị các công nghệ này cho hạ tầng AI.
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Mọi thông tin trong bài viết đều thể hiện quan điểm của tác giả và không liên quan đến nền tảng. Bài viết này không nhằm mục đích tham khảo để đưa ra quyết định đầu tư.
Bạn cũng có thể thích
Hassett: Kế hoạch 5000 USD của Trump “có thể được thực hiện một cách có trách nhiệm về tài chính”, nếu tăng lãi suất “tổng thống sẽ có ý kiến”
Giám đốc Hội đồng Kinh tế Quốc gia (NEC) của Nhà Trắng, Hassett, đã mô tả đề xuất này là một "đề xuất nghiêm túc", cho biết "có thể thực hiện theo cách tài chính có trách nhiệm" và các biện pháp bù đắp cần được thảo luận với Quốc hội. Việc thúc đẩy đề xuất có thể bỏ qua phiếu cản trở của phe thiểu số thông qua quy trình hòa giải ngân sách. Hassett cũng cho biết: "Tôi đoán nếu Cục Dự trữ Liên bang có hành động mạnh mẽ, Tổng thống sẽ lên tiếng."
9.12 Phân tích thị trường ethereum (ETH) hôm nay và đề xuất giao dịch tham khảo!
Giá tiền điện tử
Thêm
