Xabar: Samsung kelasi yil HBM4/HBM4E ishlab chiqarish hajmini ikki barobar oshirishi mumkin, mahsulot ulushi 40% dan 80% ga ko‘tariladi
Samsung AI saqlash chiplarini yangilashga pul tikadi: kelgusi yilda HBM4 seriyasi ishlab chiqarish hajmi kamida ikki barobar oshishi mumkin, umumiy HBM oylik ishlab chiqarishi qariyb 40% ko‘payadi, yuqori darajadagi mahsulotlar eksport ulushidan yuqori darajadagi mahsulotlar 40%dan 80%gacha oshadi. Shisha substratlar uchun talab ikki yil ichida 5 barobar oshadi, yuqori stacked texnologiyani tez kengaytirish aks ettiriladi va ta’minot zanjiri buyurtmalari bir vaqtning o‘zida manfaatdor bo‘ladi.
Samsung Electronics kuchli ravishda keyingi avlod yuqori o‘tkazuvchan xotira (High Bandwidth Memory, HBM) texnologiyasiga sarmoya kiritmoqda, kompaniya AI xotira chiplaridagi raqobatda to‘liq yuqori qo‘shimcha qiymatli mahsulotlarga e’tibor qaratmoqda.
Seoul Economic Daily’ning xabar berishicha, Samsung Electronics HBM ishlab chiqarish jarayonida ajralmas qism bo‘lgan “shisha substrat”ning autsorsing asosida tozalanadigan hajmini joriy yili har oyda 20 ming donadan kelasi yili har oyda 50 ming donagacha oshirishni rejalashtirmoqda, bu esa 2,5 barobar ko‘payishni anglatadi. Sanoat tahlilchilarining fikriga ko‘ra, HBM4 va HBM4E haqiqiy ishlab chiqarish hajmi kelasi yili joriy yilga nisbatan kamida ikki baravar oshadi. Shu bilan birga, Samsung’ning umumiy HBM oyiga ishlab chiqarish hajmi joriy yildagi taxminan 180 ming donadan kelasi yili 250 ming donagacha, ya’ni qariyb 40% ga oshishi kutilmoqda.
Hajmni kengaytirish ortida Samsung’ning yuqori avlod mahsulotlariga strategik e’tibori turibdi. HBM4E ommaviy ishlab chiqarilishi bosqichma-bosqich kengayishi bilan HBM4 seriyasining umumiy HBM yetkazib berishidagi ulushi joriy yildagi taxminan 40% dan kelasi yili taxminan 80% ga oshadi. Ushbu tarkibiy o‘zgarish Samsung’ga ko‘proq ishlab chiqarish quvvatini yuqori foyda keltiruvchi mahsulotlarga yo‘naltirish imkonini beradi.
Shisha substratga talab keskin oshmoqda, ishlab chiqarish hajmi kengayishining asosiy sababi
Shisha substrat HBM ishlab chiqarish jarayonidagi muhim sarflamadir. DRAM plastinasini yupqalash va teshik ochish jarayonida, shisha substrat plastinaning orqa tomoniga qoplangan bo‘lib, u plastinaning qayrilishi yoki yorilishini oldini oladi.
HBM cheklangan qalinlikda bir nechta DRAM chiplarini ustma-ust joylashtirishni talab qilganligi sababli, taqsimot qavati soni ortgani sari plastinani yupqalash va qayrilishni boshqarish texnologiyasining ahamiyati ham ortib boradi. Samsung asosiy e’tibor berayotgan HBM4 va HBM4E yuqori — 12 qatlam va undan ko‘proq — tajmonga ega mahsulotlar bo‘lib, shisha substratga texnologik talablar ham yuqoriroq bo‘ladi.
Seoul Economic Daily’ning xabariga ko‘ra, Samsung’ning shisha substratga bo‘lgan oylik ehtiyoji o‘tgan yildagi 10 ming donadan joriy yili 20 ming donaga, kelasi yili esa 50 ming donagacha oshadi. Sanoat tahlilchilari ta’kidlaydiki, shisha substrat yuvilgandan keyin qayta foydalanish mumkinligi va haqiqiy sarf texnologik jarayon va hosildorlikka qarab o‘zgarishiga qaramay, 2,5 barobar o‘sish HBM4 seriyasi ishlab chiqarish hajmining ikki baravardan ortiq oshishini aniq ko‘rsatadi.
Mahsulot tarkibi tezlik bilan yuqori avlodga o‘tmoqda
Ommaviy ishlab chiqarish jarayonida, Samsung joriy yil fevral oyida HBM4 ommaviy yetkazib berishni boshladi. Ushbu mahsulot 10-nanometrli oltinchi avlod (1c) DRAM va 4-nanometrli texnologiyada yaratilgan asos chipini o‘z ichiga oladi. Joriy yil may oyida esa Samsung NVIDIA kabi mijozlarga HBM4E 12 qatlamli versiyasining namunalarini taqdim etdi.
Sanoatda kutilishicha, HBM4E kelasi yili to‘liq ommaviy ishlab chiqarish bosqichiga o‘tganidan so‘ng, HBM4 seriyasining Samsung HBM umumiy yetkazib berishidagi ulushi joriy yildagi taxminan 40% dan 80% ga oshadi. Sanoat vakillaridan biri shunday dedi: "Samsung HBM ishlab chiqarish hajmini kengaytirar ekan, yuqori qo‘shimcha qiymatga ega mahsulot bo‘lgan HBM4’ni ustuvor o‘ringa qo‘yatgandek tuyulmoqda."
Ushbu mahsulot tarkibi o‘zgarishi bevosita Samsung HBM biznesining umumiy foydaliligini oshiradi va uning AI tezlatgich xotira bozorida raqobatbardoshligini mustahkamlaydi.
Yuqori ustma-ust (stack) texnologiyasi zanjirini harakatga keltirmoqda
Samsung’ning hozirgi kengayish to‘lqini yuqori zanjir yetkazib beruvchilarga aniq turtki bermoqda. Shisha substratning autsorsing asosida tozalanadigan hajmi ikki yil ichida oyiga 10 ming donadan 50 ming donagacha — besh baravar — ko‘payadi va tegishli yetkazib beruvchilar buyurtmasi ham shu darajada kengayadi.
Sanoat tendensiyalariga ko‘ra, HBM ustma-ust taqsimot sonining uzluksiz ortishi — dastlabki 8 qatlam va 12 qatlamdan yanada yuqoriroqqa oshishi — butun ishlab chiqarish jarayonida plastinani yupqalash va tayanch texnologiyalarining tor joy bo‘lib qolayotganligini ko‘rsatmoqda. Shisha substratga bo‘lgan talabning tez o‘sishi Samsung ishlab chiqarish hajmi kengayishining to‘g‘ridan-to‘g‘ri aksi bo‘lish bilan birga, yuqori ustma-ust HBM texnologiyasi murakkabligi ortishi bilan material sarfi intensivligi oshishini ham namoyon qiladi.
Mas'uliyatni rad etish: Ushbu maqolaning mazmuni faqat muallifning fikrini aks ettiradi va platformani hech qanday sifatda ifodalamaydi. Ushbu maqola investitsiya qarorlarini qabul qilish uchun ma'lumotnoma sifatida xizmat qilish uchun mo'ljallanmagan.
Sizga ham yoqishi mumkin
Kripto narxlari
Ko'proq
