Samsung 3D xotira "texnologik yadrosini" namoyish etdi: 400 qatlamli V-NAND va zHBM konsepsiyasi birinchi marta taqdim etildi, AI xotira yetakchiligi uchun to‘g‘ridan-to‘g‘ri raqobatga kirishdi

Samsung 3D xotira "texnologik yadrosini" namoyish etdi: 400 qatlamli V-NAND va zHBM konsepsiyasi birinchi marta taqdim etildi, AI xotira yetakchiligi uchun to‘g‘ridan-to‘g‘ri raqobatga kirishdi

智通财经2026/08/05 01:26

Asl nusxasini ko'rsatish

Bitget kriptovalyutalar, aksiyalar va oltin savdosi uchun keng qamrovli yechimlarni taklif etadi. Savdo qiling!

Yangi foydalanuvchilar uchun 6200 USDT qiymatidagi tanishtiruv to'plami! Hozir ro'yxatdan o'ting!

```htmlGolden Ten Data xabariga ko‘ra, mahalliy vaqt bilan seshanba kuni Samsung Electronics (SSNLF.US) AQShning Kaliforniya shtati, Santa Klara shahrida o‘tkazilgan “Kelajak xotira va saqlash” konferensiyasida sun’iy intellekt (AI) davriga mo‘ljallangan yangi avlod xotira texnologiyalarini taqdim etdi. Bular jumlasiga 400+ qatlamli V10 BV-NAND prototipi, vertikal yig‘ilgan yuqori o‘tkazish quvvatiga ega zHBM va zNAND-O arxitekturasi kiradi. Samsung taxminan 1 trillion dollarlik saqlash chipi bozorida yetakchilikni mustahkamlashni hamda AI xotirasi sohasida SK Hynix va Micron Technology (MU.US) kabi raqobatchilarni quvib o‘z pozitsiyasini kuchaytirishni maqsad qilmoqda.```

Mas'uliyatni rad etish: Ushbu maqolaning mazmuni faqat muallifning fikrini aks ettiradi va platformani hech qanday sifatda ifodalamaydi. Ushbu maqola investitsiya qarorlarini qabul qilish uchun ma'lumotnoma sifatida xizmat qilish uchun mo'ljallanmagan.

PoolX: Aktivlarni kiriting va yangi tokenlar oling.

APR 12% gacha. Yangi tokenlar airdropi.

Qulflash!