SK Hynix 1c DRAMni kuchli tarzda rivojlantirmoqda: samaradorlik 80% ga oshdi, yillik ishlab chiqarish quvvatining yarmidan ko‘pi o‘zgaradi

格隆汇 9-aprel — dealsite ma'lumotiga ko‘ra, SK Hynix 10 nanometr oltinchi avlod (1c) DRAM raqobatbardoshligini oshirishni tezlashtirmoqda, ushbu texnologiya uchun ekstremal ultrabinafsha (EUV) uskunalariga investitsiya avvalgi rejalardan taxminan uch barobarga oshdi. Sanoat mutaxassislari SK Hynix 1c DRAM texnologiyasini rivojlantirishga kuchli urg‘u bermoqda, u 7-avlod yuqori tezlikdagi xotira (HBM) HBM4E asosiy chiplarida qo‘llanilishi uchun tayyorlanmoqda va kompaniya joriy yilda namunalarini yetkazib berishni mo‘ljallamoqda. HBMning eng katta mijozlaridan biri NVIDIA kelasi yilning ikkinchi yarmida HBM4E bilan jihozlangan yangi avlod AI tezlatkichini — “Vera Rubin Ultra” ni chiqarishni rejalashtirayotganligi sababli, SK Hynix tadqiqot va rivojlantirishni tezlashtirishi kerak. Ma’lumotlarga ko‘ra, SK Hynix universal DRAMda 1c DRAM samaradorligi 80% ga oshdi. Kompaniya joriy yilda DRAM ishlab chiqarish quvvatining yarmidan ko‘pini 1c texnologiyaga o‘tkazishni rejalashtirmoqda va yil oxirigacha taxminan 190 ming dona ishlab chiqarish quvvatini ta’minlashni kutmoqda.