Американські акції різко зросли: Navitas Semiconductor 29 вересня значно підскочила на тлі новин про проєкт 10kV і SiC-чіпи

Інтерпретація різкого зростання акцій Nawei Semiconductor 29 вересня

Ключові слова: проєкт 10kV, SiC-чіпи

1. 28 вересня компанія оголосила про отримання проєкту ALATTIS для розробки наступного покоління потужних напівпровідників з карбіду кремнію на 10kV, а також розробки, виробництва, тестування й верифікації процесу виготовлення пристроїв SiC надвисокої напруги.

2. 28 вересня компанія повідомила, що її основна діяльність — це наступне покоління GaNFast (потужні напівпровідники на основі нітриду галію) та GeneSiC (карбід кремнію), і визнання проєкту підтверджує можливості компанії у галузі технологій надвисокої напруги SiC та ланцюга виробництва.

(Відмова від відповідальності: цей матеріал зібраний та підсумований на основі відкритої інформації за допомогою AI-технологій, призначений лише для ознайомлення і не є інвестиційною порадою)