Акции Navitas Semiconductor резко выросли 29 сентября на фоне 10kV-проекта и чипов SiC

Nawei Semiconductor 29 сентября – разбор резкого роста

Ключевые слова: проект 10kV, чипы SiC

1. 28 сентября компания объявила о получении проекта ALATTIS для разработки следующего поколения карбидокремниевых силовых полупроводников с рабочим напряжением 10kV, а также для разработки и верификации производственного процесса сверхвысоковольтных устройств SiC через проектирование, производство и тестирование.

2. 28 сентября компания раскрыла, что её основная деятельность связана со следующим поколением силовых полупроводников GaNFast (нитрид галлия) и GeneSiC (карбид кремния). Оценка проектов признала компетенции компании в области технологий сверхвысоковольтных SiC и производственно-сбытовой цепи.

(Отказ от ответственности: данный материал был подготовлен с использованием AI на основе открытых источников и предоставлен исключительно для справки. Не является инвестиционной рекомендацией.)