Samsung (SSNLF.US) демонстрирует свою «технологическую ядерную бомбу» в области 3D- памяти: впервые представлены 400-слойный V-NAND и концепция zHBM, прямо нацеленные на корону лидера AI-памяти.

По данным приложения Zhihui Finance, во вторник по местному времени Samsung Electronics (SSNLF.US) на конференции "Future Memory & Storage" в Санта-Кларе, Калифорния, США, представила новые технологии памяти следующего поколения для эры искусственного интеллекта (AI), включая прототип V10 BV-NAND с более чем 400 слоями, вертикально-слоеную память с высокой пропускной способностью zHBM, а также архитектуру zNAND-O. Компания стремится укрепить свои лидирующие позиции на рынке чипов памяти, размер которого приближается к 1 трлн долларов США, и ускорить погоню за SK hynix и Micron Technology (MU.US), которые опередили в сфере AI памяти.

Будучи крупнейшим в мире производителем чипов памяти, Samsung впервые на мероприятии продемонстрировала прототип V10 Bonding V-NAND (BV-NAND). Этот чип использует новую архитектуру соединения пластин и насчитывает более 400 слоев, что на примерно 58% увеличивает плотность хранения по сравнению с предыдущим поколением V9 NAND, а также улучшает скорость чтения и записи и производительность ввода-вывода. По мере того как AI-нагрузка расширяется от обучения больших языковых моделей до генерации ответов на пользовательские запросы в реальном времени, спрос на высокоемкую и энергоэффективную NAND-флеш-память быстро растет, и Samsung надеется с помощью этой технологии лучше удовлетворять потребности систем AI с интенсивным использованием данных.

В ещё более передовой области Samsung представила концептуальные модели, которые называет отраслевыми первыми: zHBM и архитектуру zNAND-O, очерчивающие будущее развитие 3D-слоеной памяти.

В отличие от традиционной HBM, которая располагается рядом с AI-процессором, zHBM вертикально размещает память с высокой пропускной способностью непосредственно над AI-ускорителем, существенно сокращая расстояние передачи данных. По заявлению Samsung, по сравнению со следующим поколением HBM5 эта система обеспечивает примерно 8-кратное увеличение производительности, более чем 10-кратное повышение плотности памяти, втрое большую энергоэффективность и свыше двукратное снижение теплового сопротивления, а также поддержку настраиваемых решений. Однако компания пока не объявила точные сроки массового производства HBM5 и zHBM, а в планах — приоритетное расширение выпуска HBM4 во второй половине этого года. Одновременно представленная zNAND-O построена на технологии V-NAND и оптимизирована для AI-приложений в режиме реального времени с интенсивной работой с данными.

Технологическое наступление Samsung совпадает с острой конкуренцией между гигантами памяти за заказы в сегменте AI-ЦОД. SK hynix благодаря раннему вхождению заняла преимущественные позиции на рынке AI-памяти, Micron также активно борется за заказы. В этот раз Samsung подчеркнула свою роль как "поставщика комплексной AI-инфраструктуры", продвигая не только аппаратные решения для памяти, но и представив дорожную карту новых вычислительных чипов и корпоративных накопителей большой емкости.

С стороны спроса некоторые инвесторы опасаются, что слабый рынок смартфонов в Китае может ограничить долгосрочный спрос на память, но аналитики в целом позитивно оценивают высокую динамику роста спроса со стороны AI. На прошлой неделе Samsung сообщила, что долгосрочные контракты с клиентами могут в перспективе охватить 60–70% выручки от продаж её памяти.

В своем прошлом месяце отчете аналитики Citigroup также отметили, что несмотря на опасения относительно снижения конечных рынков, запасы по всему цепочке поставок DRAM и NAND остаются значительно ниже исторических уровней, что создаёт буфер для отрасли и укрепляет ожидания по росту, обусловленному AI.