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A IA de “aprendizado contínuo” estenderá a escassez de memória até 2031?

A IA de “aprendizado contínuo” estenderá a escassez de memória até 2031?

华尔街见闻华尔街见闻2026/09/16 06:16
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Por:华尔街见闻

O Citibank acredita que, à medida que a IA entra na era do "aprendizado contínuo" além dos estágios de treino e inferência, a demanda por HBM, DDR5 de servidor e SSDs empresariais (eSSD) terá um crescimento explosivo a partir de 2027. Com essa demanda aumentando rapidamente, a oferta está limitada pela ocupação da capacidade de HBM e pela lentidão na transição tecnológica, fazendo com que a expansão da produção fique muito atrás da demanda. Espera-se que o desequilíbrio entre oferta e procura continue até 2031.

O avanço estrutural nas capacidades de memória de IA está impulsionando o mercado global de memória para um ciclo de escassez de oferta que pode perdurar por vários anos.

De acordo com uma notícia da Mesa de Negócios Seguidores do Vento, o Citi informou em seu relatório de 14 de setembro que, à medida que a IA avança da fase de "treinamento e inferência" para a era do "aprendizado contínuo", a demanda por HBM, DDR5 para servidores e SSDs empresariais (eSSD) irá disparar simultaneamente a partir de 2027. O Citi prevê que a relação oferta/demanda (S/D ratio) para DRAM irá se deteriorar para -8,7% em 2027 e -9,7% em 2028, enquanto para NAND cairá para -6,1% e -5,5% no mesmo período, com o desequilíbrio persistindo até 2031.

Com a demanda crescendo rapidamente, a oferta enfrenta restrições devido à ocupação de capacidade pelo HBM e à desaceleração da migração tecnológica, fazendo com que a expansão da produção fique muito atrás da demanda. Assim, o Citi estima que os investimentos globais em capital do setor de memória crescerão 46,5% em relação ao ano anterior, atingindo 80,4 bilhões de dólares em 2027, mas, devido ao longo prazo necessário para expandir a capacidade, mesmo grandes investimentos não conseguirão fechar o déficit de oferta e demanda.

Aprendizado Contínuo: Um novo paradigma impulsionando a demanda de memória para IA

O estudo do Citi destaca que o "Aprendizado Contínuo" será o tema central no campo de IA pelos próximos cinco anos. Diferente do modelo atual em que os parâmetros de IA são fixados após o treinamento, o aprendizado contínuo permite que o modelo absorva constantemente novos conhecimentos durante a operação, mantendo ao mesmo tempo informações previamente adquiridas.

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O principal desafio desse método é equilibrar a aprendizagem de novos conhecimentos e a prevenção do "esquecimento catastrófico". Para isso, sistemas de IA precisam atualizar constantemente seus modelos ao mesmo tempo que mantêm acesso eficiente aos dados históricos – ambos exigem significativamente mais capacidade de memória.

Analisando a trajetória evolutiva das cargas de trabalho de IA, de 2022 ao primeiro semestre de 2025 o foco está no treinamento, com forte demanda por HBM, enquanto DRAM e NAND tradicionais seguem relativamente estáveis; a partir da segunda metade de 2025, a maior complexidade das inferências impulsiona o crescimento rápido da demanda por DDR5 de servidores e eSSD, e o interesse do mercado por HBM diminui.

O Citi acredita que, a partir de 2027, entrará na primeira fase do aprendizado contínuo, com crescimento simultâneo na demanda por HBM, DRAM para servidores, SoCAMM2 e eSSD; até o segundo semestre de 2028, com o surgimento da IA pessoal e da IA física (Physical AI), a demanda se expandirá ainda mais para memórias em dispositivos de borda.

Vale destacar que, o uso mensal de tokens de IA está exibindo uma curva exponencial quase perfeita, com um crescimento composto mensal de 31% e um aumento anual de 2434% em agosto de 2026, o que serve como uma base sólida para o rápido crescimento sustentável da demanda geral de memória.

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HBM: Despadronização é resultado de restrições de oferta, não de demanda fraca

O Citi ofereceu uma interpretação clara sobre o fenômeno recente da "despadronização" do HBM: isso é uma estratégia dos fabricantes de chips de IA para otimizar recursos frente às limitações de oferta de HBM, não um sinal de enfraquecimento da demanda final.

Segundo o Citi, a demanda por bits de HBM vai saltar 62% em 2027, atingindo 75,157 bilhões de Gb, e subir mais 69% em 2028, chegando a 126,990 bilhões de Gb – ambos números dobram as previsões anteriores. Os motores de demanda incluem não só Nvidia, mas também Broadcom, Google e outros fabricantes de ASIC – com a previsão de demanda de HBM da Broadcom saltando de 9,002 bilhões de Gb em 2026 para 41,003 bilhões em 2028, e a do Google passando de 4,702 bilhões para 14,003 bilhões no mesmo período.

Do lado da oferta, o Citi projeta que a capacidade de produção de HBM (considerando encapsulamento TSV) irá de 420 mil wafers/mês em 2026 para 700 mil wafers/mês em 2027. Ainda assim, o déficit entre oferta e demanda permanecerá elevado: a relação S/D de HBM em 2027 é prevista em -21%, praticamente igual a -22% de 2026, e se deteriorando para -36% em 2028 devido ao aumento dos embarques de ASIC.

O Citi acredita que a despadronização é, na essência, uma escolha pragmática dos fabricantes para maximizar os embarques de aceleradores em meio à oferta limitada de HBM, e não deve ser interpretada como uma mudança de demanda.

DRAM: Diferença histórica entre oferta e demanda em 2027

O Citi estima que a demanda global por DRAM crescerá 30,2% em 2027, mas a oferta só aumentará 18,8%. A relação oferta/demanda cairá abruptamente de +0,5% em 2026 para -8,7% em 2027, e para -9,7% em 2028.

No lado da demanda, o crescimento da demanda por DRAM de servidores impulsionado pelo aprendizado contínuo é especialmente notável. O Citi prevê que a demanda por DRAM de servidores saltará de 226,3 bilhões de unidades (equivalente a 1Gb) em 2026 para 341,7 bilhões em 2027 – crescimento de 51%, mantendo os servidores com cerca de 67% da demanda total de DRAM. Em comparação, a demanda por PCs permanecerá estável e a dos smartphones terá recuperação moderada.

As restrições ao lado da oferta também são claras: por um lado, a ocupação da capacidade de HBM continua reduzindo a disponibilidade de wafers para DRAM comum, com capacidade média da indústria em 2027 prevista para crescer apenas 8%, chegando a 2,295 milhões de wafers/mês; por outro, o avanço lento dos nós tecnológicos limita o crescimento do output de bits por wafer; além disso, o ciclo longo dos projetos de greenfield até a produção significa que, mesmo com aumento dos investimentos, a resposta da oferta será retardada.

O Citi projeta que o preço médio misto da DRAM aumentará 23,1% em 2027, mantendo tendência de alta após o aumento excepcional de 242,4% em 2026, porém a alta tende a se normalizar.

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NAND: Forte demanda por eSSD e oferta restrita ampliam significativamente o déficit

O equilíbrio entre oferta e demanda de NAND também enfrenta um aperto significativo. O Citi prevê crescimento de 29,1% na demanda por NAND em 2027, com oferta crescendo apenas 21,2%, reduzindo a relação S/D de -0,8% em 2026 para -6,1% em 2027, e mantendo -5,5% em 2028.

O eSSD é o principal motor do crescimento da demanda por NAND. O Citi projeta que a demanda por eSSD cresça 52,9% em 2027 (com SSDs em geral subindo 45,0%), embasado em três motivos principais: primeiro, a redução da quantidade de HBM por acelerador força mais cargas de trabalho de KV cache para o armazenamento externo; segundo, a complexidade crescente das cargas de inferência de IA impulsiona a adoção de eSSD QLC de alta capacidade em servidores de IA; e terceiro, as tendências de offload de KV Cache pela Nvidia, bem como data centers de IA na China substituindo HDDs por SSDs, oferecem mais espaço para crescimento da demanda.

As restrições do lado da oferta também merecem destaque. O Citi estima que a capacidade média de wafers de NAND da indústria aumentará apenas 3,2% em 2027, chegando a 1,46 milhão de wafers/mês, com Samsung reduzindo sua capacidade de NAND em 4,7% e SK hynix e Micron mantendo-se praticamente estáveis. O foco dos fabricantes é expandir mais agressivamente em DRAM/HBM, mantendo uma postura cautelosa para investimentos incrementais em NAND.

Quanto aos preços, o Citi projeta que o preço médio misto do NAND suba 45,3% em 2027, mantendo alta após os 236,2% de elevação em 2026, ainda que em um ritmo mais moderado.

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Grande aumento nos investimentos, mas difícil fechar o déficit no médio prazo

O Citi estima que o investimento global em capital em memória (DRAM+NAND) em 2027 saltará 46,5% na comparação anual, atingindo 80,4 bilhões de dólares – uma aceleração significativa em relação aos 54,9 bilhões de 2026.

Os investimentos em DRAM devem crescer 51,6% para atingir 58,6 bilhões, liderados por Samsung (20,6 bilhões), SK hynix (17,5 bilhões) e Micron (15,8 bilhões). Porém, o Citi ressalta que grande parte desse investimento incremental continuará sendo destinado à expansão do HBM e processos avançados de DRAM, tendo impacto limitado sobre a oferta de DRAM convencional.

O investimento em NAND deverá crescer 34,2% para 21,8 bilhões, com Samsung prevendo investir 7,9 bilhões, Kioxia 3,7 bilhões, SK hynix 3,1 bilhões, Sandisk 2,9 bilhões e Micron 2,1 bilhões.

O Citi destaca que, apesar do salto no investimento, devido ao longo tempo necessário para expandir a capacidade com novos projetos, o maior nível de investimento ainda será insuficiente para eliminar o déficit de oferta/demanda em 2027. Com isso, o banco projeta que o desequilíbrio entre oferta e demanda global de memória persistirá até 2031, sustentado principalmente pela ampla adoção do aprendizado contínuo e pelo crescimento da IA pessoal e IA física.

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