Segundo fontes, a Kioxia planeja substituir parte dos DRAM por uma versão aprimorada de NAND.

Golden Finance, 4 de setembro — De acordo com informações do mercado, a Kioxia realizou recentemente uma conferência técnica sobre memórias semicondutoras e outras tecnologias. A Kioxia planeja aumentar a velocidade de processamento da memória flash NAND utilizando módulos CXL projetados especificamente para cargas de trabalho de inteligência artificial, substituindo parte da DRAM. Segundo apurado, o módulo CXL pode reduzir o tempo necessário para leitura de dados para menos de 1/10 dos produtos tradicionais e, graças à leitura de dados em alta velocidade, seu desempenho pode se aproximar ainda mais da DRAM. A Kioxia destacou que, ao substituir parte da DRAM por módulos CXL, a capacidade pode ser aumentada em até 2 vezes e o desempenho aprimorado em 30%.