O vice-gerente geral de desenvolvimento de tecnologia de encapsulamento avançado da TSMC, Xu Guojin, afirmou hoje que a arquitetura básica dos transceptores ópticos está passando por uma mudança estrutural, com a fotônica de silício tornando-se o modelo predominante. A previsão é que a participação de mercado da fotônica de silício ultrapasse 50% até 2027. A expressão máxima da fotônica de silício é a óptica co-embalada (CPO), e já no segundo semestre deste ano algumas empresas iniciarão a prod

O vice-gerente geral de desenvolvimento de tecnologia de encapsulamento avançado da TSMC, Xu Guojin, afirmou hoje que a arquitetura básica dos transceptores ópticos está passando por uma mudança estrutural, com a fotônica de silício tornando-se o modelo predominante. A previsão é que a participação de mercado da fotônica de silício ultrapasse 50% até 2027. A expressão máxima da fotônica de silício é a óptica co-embalada (CPO), e já no segundo semestre deste ano algumas empresas iniciarão a prod

智通财经2026/08/31 03:56

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O vice-gerente geral de desenvolvimento de tecnologia avançada de embalagem da TSMC, Xu Guojin, afirmou hoje que a arquitetura de base dos transceptores ópticos está passando por uma transformação estrutural, com a fotônica de silício tornando-se a forma dominante. Prevê-se que, em 2027, sua participação de mercado ultrapasse 50%. O estágio final da fotônica de silício é a óptica co-embalada (CPO), e, no segundo semestre deste ano, haverá fabricantes iniciando a produção em massa.

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