Samsung (SSNLF.US) apresenta “bomba tecnológica” de memória 3D: estreia do V-NAND de 400 camadas e conceito zHBM mira liderança em memória para IA

Segundo a Jinse Finance APP, na terça-feira, horário local, a Samsung Electronics (SSNLF.US) realizou em Santa Clara, Califórnia, o evento "Futuro da Memória e Armazenamento", onde apresentou tecnologias de memória de próxima geração para a era da inteligência artificial (AI), incluindo o protótipo V10 BV-NAND com mais de 400 camadas, a memória de alta largura de banda verticalmente empilhada zHBM e a arquitetura zNAND-O. A empresa busca consolidar sua posição de liderança no mercado de chips de armazenamento, avaliado em cerca de 1 trilhão de dólares, e acelerar o avanço para alcançar SK Hynix e Micron Technology (MU.US), pioneiras no setor de memórias para AI.

Como maior fabricante global de chips de memória, a Samsung apresentou pela primeira vez no evento seu protótipo V10 Bonding V-NAND (BV-NAND). Este chip utiliza uma nova arquitetura de ligação de wafers e possui mais de 400 camadas empilhadas, oferecendo uma densidade de armazenamento cerca de 58% maior em relação à geração anterior, V9 NAND, além de melhorias na velocidade de leitura/gravação e desempenho de entrada/saída. Com a expansão das cargas de trabalho de AI dos treinamentos de modelos de linguagem para a geração em tempo real de respostas a consultas dos usuários, a demanda por NAND flash de alta capacidade e eficiência energética cresce rapidamente. A Samsung espera que essa tecnologia atenda melhor às necessidades de sistemas de AI intensivos em dados.

Em áreas ainda mais avançadas, a Samsung revelou conceitos considerados os primeiros do setor: zHBM e a arquitetura zNAND-O, traçando um roteiro futuro para memórias empilhadas 3D.

Diferentemente do HBM tradicional, posicionado ao lado dos processadores de AI, o zHBM empilha verticalmente a memória de alta largura de banda acima dos aceleradores de AI, reduzindo drasticamente a distância de transferência de dados. Segundo a Samsung, este sistema pode atingir cerca de oito vezes mais desempenho em relação ao HBM5 da próxima geração, aumentar a densidade da memória em mais de dez vezes, triplicar a eficiência energética, diminuir pela metade a resistência térmica e possibilitar design personalizado. Contudo, a empresa ainda não revelou o cronograma de produção em massa do HBM5 e zHBM, planejando priorizar a ampliação da fabricação do HBM4 no segundo semestre deste ano. O zNAND-O, apresentado simultaneamente, é baseado na tecnologia V-NAND e otimizado para aplicações de AI em tempo real e intensivas em dados.

O avanço tecnológico da Samsung acontece em meio a uma disputa acirrada entre gigantes dos chips de armazenamento pelos pedidos de data centers de AI. SK Hynix detém uma vantagem inicial graças a seu posicionamento precoce no mercado de memórias para AI, e a Micron também atua de forma agressiva para conquistar pedidos. A Samsung enfatizou sua posição como “fornecedor de infraestrutura AI ponta a ponta”, promovendo não apenas o hardware de memória, mas também divulgando o roteiro de produtos para chips de computação em memória de próxima geração e soluções de armazenamento empresarial de alta capacidade.

Do ponto de vista da demanda, embora alguns investidores se preocupem com a possibilidade de o mercado de smartphones inteligente na China enfraquecer e prejudicar a demanda de longo prazo por memória, analistas permanecem otimistas quanto ao forte impulso oriundo da AI. Na semana passada, a Samsung revelou que os contratos de longo prazo firmados com clientes poderão cobrir de 60% a 70% das vendas de memória da empresa.

Analistas do Citi também destacaram em relatório do mês passado que, apesar das preocupações quanto à fraqueza do mercado de consumo final, os estoques em toda a cadeia de suprimentos de DRAM e NAND permanecem significativamente abaixo dos níveis históricos, o que fornecerá proteção ao setor e fortalecerá as perspectivas de crescimento impulsionadas pela AI.