Samsung współpracuje z ASML nad rozwojem technologii litografii EUV o wysokiej aperturze numerycznej (High-NA)

Według doniesień Seoul Economic Daily, Samsung Electronics nawiąże współpracę z największym na świecie producentem urządzeń do fotolitografii, ASML, w celu wspólnego opracowania technologii litografii ekstremalnie ultrafioletowej (EUV) o wysokiej aperturze numerycznej (High-NA). Samsung uczestniczy w projekcie, którego celem jest zmiana standardu branżowego obowiązującego od lat 80. XX wieku, polegająca na przejściu z używanego dotąd 6-calowego szablonu fotomaski na wersję 12-calową oraz dąży do tego, aby jako pierwszy oprzeć masową produkcję DRAM na urządzeniach High-NA EUV. Samsung planuje od 2028 roku stosować urządzenia High-NA EUV w produkcji DRAM, a następnie rozszerzyć tę technologię również na zaawansowane procesy logiczne 1,4 nm, co ma przyczynić się do rozwoju działalności w zakresie foundry. Zwiększenie rozmiaru szablonu fotomaski ma na celu zrekompensowanie ograniczeń technologii EUV. Technologia High-NA EUV posiada aperturę liczbową o 66% wyższą niż tradycyjne EUV, co umożliwia tworzenie znacznie bardziej precyzyjnych wzorów układów. Zastąpienie używanych obecnie 6-calowych szablonów fotomaski wersjami 12-calowymi pozwala na zwiększenie wydajności produkcyjnej fabryk półprzewodników oraz na obniżenie kosztów produkcji chipów.