Według doniesień, Kioxia planuje zastąpić część modułów DRAM ulepszoną wersją NAND.

Golden Ten Data, 4 września — Według doniesień rynkowych, Kioxia niedawno zorganizowała prezentację technologiczną dotyczącą półprzewodnikowych pamięci masowych oraz innych rozwiązań technologicznych. Kioxia planuje zwiększyć prędkość przetwarzania NAND flash dzięki modułowi CXL zaprojektowanemu specjalnie do obciążeń związanych ze sztuczną inteligencją, zastępując częściowo DRAM. Moduły CXL pozwalają skrócić czas odczytu danych do mniej niż 1/10 tradycyjnych produktów — dzięki szybkiemu odczytowi ich wydajność zbliża się do DRAM. Kioxia wskazuje, że zamiana części DRAM na moduły CXL pozwala podwoić pojemność i zwiększyć wydajność o 30%.