Według doniesień, Samsung Electronics współpracuje z Nvidia nad opracowaniem ośmiowarstwowej, siódmej generacji pamięci o wysokiej przepustowości (HBM4E), która znacznie zmniejsza wysokość stosu w porównaniu do pierwotnie planowanych rozwiązań dwunasto- i szesnastowarstwowych. Wymagania szybkości zaproponowane przez Nvidia to 17-18Gbps, czyli około 20% więcej niż prędkość początkowych próbek HBM4E Samsunga wynoszących 14,4Gbps. Produkt ten ma być wykorzystywany w NVHBM. (Seoul Economic Daily)

Według doniesień, Samsung Electronics współpracuje z Nvidia nad opracowaniem ośmiowarstwowej, siódmej generacji pamięci o wysokiej przepustowości (HBM4E), która znacznie zmniejsza wysokość stosu w porównaniu do pierwotnie planowanych rozwiązań dwunasto- i szesnastowarstwowych. Wymagania szybkości zaproponowane przez Nvidia to 17-18Gbps, czyli około 20% więcej niż prędkość początkowych próbek HBM4E Samsunga wynoszących 14,4Gbps. Produkt ten ma być wykorzystywany w NVHBM. (Seoul Economic Daily)

智通财经2026/08/31 05:31

Pokaż oryginał

Bitget oferuje kompleksowe usługi handlu kryptowalutami, akcjami i złotem. Handluj teraz!

Pakiet powitalny o wartości 6200 USDT dla nowych użytkowników! Zarejestruj się teraz

Według doniesień, Samsung Electronics współpracuje z NVIDIA nad opracowaniem 8-warstwowej, siódmej generacji wysokoprzepustowej pamięci (HBM4E), znacząco zmniejszając wysokość stosu względem pierwotnych planów obejmujących warianty 12- i 16-warstwowe. Specyfikacja prędkości zaproponowana przez NVIDIA to 17-18Gbps, czyli około 20% więcej niż prędkość próbki HBM4E 14,4Gbps opracowanej przez Samsung na wczesnym etapie. Według doniesień, produkt ten zostanie użyty w NVHBM. (Seoul Economic Daily).

Zastrzeżenie: Treść tego artykułu odzwierciedla wyłącznie opinię autora i nie reprezentuje platformy w żadnym charakterze. Niniejszy artykuł nie ma służyć jako punkt odniesienia przy podejmowaniu decyzji inwestycyjnych.

PoolX: Stakuj, aby zarabiać

Nawet ponad 10% APR. Zarabiaj więcej, stakując więcej.

Stakuj teraz!