Samsung (SSNLF.US) prezentuje “technologiczną bombę” 3D memory: pierwsza prezentacja 400-warstwowego V-NAND i koncepcji zHBM, celując bezpośrednio w tron pamięci AI

智通财经APP poinformował, że we wtorek czasu lokalnego Samsung Electronics (SSNLF.US) podczas konferencji „Future Memory & Storage” w Santa Clara w Kalifornii, skoncentrował się na prezentacji nowej generacji technologii pamięci przeznaczonych na erę sztucznej inteligencji (AI), w tym prototypu V10 BV-NAND z ponad 400 warstwami, pionowo układanej pamięci z wysoką przepustowością zHBM oraz architektury zNAND-O. Celem firmy jest umocnienie swojej pozycji lidera na rynku układów pamięci o wartości blisko 1 biliona dolarów oraz przyspieszenie dogonienia SK Hynix i Micron Technology (MU.US), które wyprzedzają w segmencie pamięci do AI.