報道によると、Samsung ElectronicsはNVIDIAの要請に応じて、8層の第7世代高帯域幅メモリ（HBM4E）を開発しているとのことです。これは当初計画されていた12層や16層のソリューションよりも積層の高さが大幅に低減されています。NVIDIAが提示した速度仕様は17〜18Gbpsで、Samsungが初期にサンプル提供したHBM4E（14.4Gbps）よりも約20%高速です。この製品はNVHBMに使用される予定とされています。（Seoul Economic Daily）

報道によると、Samsung ElectronicsはNVIDIAの要請に応じて、8層の第7世代高帯域幅メモリ（HBM4E）を開発しているとのことです。これは当初計画されていた12層や16層のソリューションよりも積層の高さが大幅に低減されています。NVIDIAが提示した速度仕様は17〜18Gbpsで、Samsungが初期にサンプル提供したHBM4E（14.4Gbps）よりも約20%高速です。この製品はNVHBMに使用される予定とされています。（Seoul Economic Daily）

智通财经2026/08/31 05:31

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報道によると、Samsung ElectronicsはNVIDIAの要請に応じて8層の第7世代高帯域幅メモリ（HBM4E）の開発を進めており、当初計画されていた12層・16層の設計に比べて大幅に積層高さを低減しています。NVIDIAが提示した速度仕様は17〜18Gbpsで、Samsung初期HBM4Eサンプルの14.4Gbpsに比べて約20%高く、この製品はNVHBMに使用される予定です。（Seoul Economic Daily）

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