SKハイニックスとSanDiskが世界初のHBF標準規格を発表、Googleがエコシステムに参加

SKハイニックスはSanDiskと提携し、AIストレージアーキテクチャ競争に共同で参入しました。

8月4日、SKハイニックスとSanDiskは、高帯域幅フラッシュ（HBF）の世界初の標準規格を共同で発表しました。このマイルストーンはHBFアライアンスの正式設立からわずか約6か月後のことであり、次世代AIストレージ技術の標準化プロセスが本格的に加速したことを示しています。

この規格はカリフォルニア州サンタクララで開催された「FMS 2026」ストレージサミットにて正式に披露されました。GoogleとTenstorrentはすでにHBFアライアンスに加入したことを発表しており、この技術の産業エコシステムがさらに拡大しています。

SKハイニックスのエグゼクティブバイスプレジデント、Kim Chun-sung氏は「HBFはメモリとストレージの境界を打ち破り、システム全体の効率を向上させる新しいアーキテクチャを構築する一助となる」と述べました。

HBF技術は、高帯域幅メモリ（HBM）とソリッドステートドライブ（SSD）の間を埋める新たなストレージ階層として位置付けられ、AI推論の場面における帯域幅のボトルネックと容量拡張の課題を同時に解決することを目指します。

これに先立ち、Citrini ResearchのアナリストJukan氏は4月にX（旧Twitter）でGoogleが現在HBFの実用化を最も積極的に推進している一方、NvidiaはHBFに対する関心が比較的限定的で、既存のeSSDが必要な帯域幅要件を満たしていると考えていると指摘していました。

今回発表されたHBF標準規格は、SKハイニックスとSanDiskが2025年8月に初期の標準化パートナーシップを結んで以来の最新成果であり、今年2月にアライアンスが正式に始動してからわずか約6か月後のことです。

規格内容は複数の主要技術領域を網羅しています：

• 容量面では、2種類の積層構成（8層および16層NANDチップ）に基づき、最大512GBのスペックをサポート；
• 帯域幅面では、グレード1から3までの3つのレベルに分かれ、0.4TB/s～3.0TB/sまでの性能拡張に対応。
• さらに、接続インターフェースや電気的特性、HBFチップのスタック技術の信頼性・パッケージングガイドライン、ソフトウェアI/Oガイドなどもカバーしています。

インターフェース基準として、HBFは業界オープン規格「UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）」を採用しており、HBF技術がGPUやCPUなど異なるプロセッサへの柔軟な統合を可能にしています。

SKハイニックスはHBF標準化推進において、オープンなアライアンスと業界連携の両輪を進めるアプローチを取っています。

アライアンスメンバーにはすでにGoogleとTenstorrentが加わり、Open Compute Project（OCP）を通じて業界全体に向けて標準規格を開示し、HBFを業界標準に育成することを目指しています。

SKハイニックスは、今回の規格発表を通じて、AIストレージ市場におけるHBF技術の普及を加速させ、周辺エコシステムの育成を継続、オープンな協力体制を基盤にアライアンスの拡大、技術の成熟度および市場認知度の向上を目指すとしています。

AI推論用途の規模拡大に伴い、処理すべきデータ量が急増し、1つのストレージタイプだけでは高帯域と大容量の両方の要件を同時に満たすことが難しくなっており、HBFが市場から注目を集めています。

HBF技術はNAND技術で大容量を実現すると同時に、HBM並みの高速データ転送を可能にし、帯域幅と容量の拡張性の両立を可能にします。

SKハイニックスはHBFを「階層型メモリ（Tiered Memory）」アーキテクチャの重要要素と位置付けており、様々なストレージタイプを接続・最適化して統合されたシステムを実現するという考え方です。

SKハイニックスのエグゼクティブバイスプレジデントのKim Chun-sung氏と、バイスプレジデントのKang Uk-song氏は、FMS 2026初日に「Agentic AI時代に階層型メモリで効率的なAIインフラを構築する」と題した基調講演で、次世代ストレージアーキテクチャの必要性と発展の方向性を解説します。

8月6日には、SKハイニックス副社長Lim Eui-cheol氏、SanDisk副社長Rajeev Nagabhirava氏、Google DeepMind主席エンジニアXiaoyu Ma氏が「HBFでメモリウォールを突破する」と題したパネルディスカッションに共同参加します。

FMS 2026ブースでは、SKハイニックスが開発中の第10世代（V10）375層4D NANDウエハーおよび製品も初公開されました。

375層4D NANDは前世代製品比で1ワットあたり性能が2.5倍向上しており、データセンターなど高いエネルギー効率と高性能が必要なAIインフラ環境向けに最適化されています。

SKハイニックスは、来年初めより本技術を活用した高性能・大容量eSSDの量産を開始し、AI NAND市場でのリーダーシップをさらに強化する計画です。

また、SKハイニックスのブースでは、モバイル、PC、自動車、ロボティクス分野を網羅する多様な製品ラインナップも展示され、AI時代における顧客との協業イノベーションの成果が示されます。