サムスン電子は器興に新しいDRAM工場の建設を計画しており、月間生産能力は10万枚のウェハに達する見込みです。

Odailyの報道によると、CitriniのアナリストjukanがXプラットフォームで投稿し、Samsung Electronicsは器興（キフン）園区に新しいDRAMウェハ工場を建設する計画であり、当初は研究開発センター用だった場所をメモリ生産施設に転換するとのことです。この施設の月間生産能力は約10万枚のウェハと見込まれ、総投資額は数十兆ウォンに達する予定です。Samsung Electronicsは新しいウェハ工場の建設を推進するために社内チームを結成しており、早ければ第3四半期にも初期工事が始まる可能性があります。Counterpoint Researchは、製品価格の上昇により世界のDRAM市場の収益が今年の150億ドルから最大210億ドルまで成長すると予測しています。Samsung Electronicsはまた、平沢P4工場に月間生産能力10万枚の新しい生産ラインも設置し、第6世代HBM、すなわちHBM4向けのDRAMを生産できるようになっています。さらに、京畿道龍仁市で次世代半導体クラスターのウェハ工場建設を計画し、2029年の初期稼働を目指しています。加えて、全羅南道光州市の半導体クラスターでも先進的な半導体ウェハ工場2棟の建設を推進しており、総投資額は400兆ウォンとなっています。