Samsung collabora con ASML per sviluppare la tecnologia di litografia EUV ad alto NA

Secondo quanto riportato dal Seoul Economic Daily, Samsung Electronics collaborerà con il più grande produttore mondiale di apparecchiature per litografia ASML per sviluppare congiuntamente la tecnologia di litografia estrema ultravioletta (EUV) ad alta apertura numerica (High-NA). Samsung sta partecipando a un'iniziativa volta a promuovere un cambiamento negli standard industriali, passando dai mascherini da 6 pollici utilizzati dagli anni '80 a una versione da 12 pollici, e mira a stabilire per prima un sistema di produzione di massa DRAM basato su apparecchiature High-NA EUV. Samsung prevede di applicare la tecnologia High-NA EUV alla produzione di DRAM a partire dal 2028, per poi estendere ulteriormente questa tecnologia ai processi logici avanzati a 1,4 nanometri, al fine di promuovere lo sviluppo del suo business di foundry. L'espansione della dimensione dei mascherini mira a compensare le limitazioni della tecnologia EUV. L'apertura numerica della High-NA EUV è superiore del 66% rispetto all'EUV tradizionale e consente di ottenere schemi circuitali molto più raffinati. La sostituzione degli attuali mascherini da 6 pollici con quelli da 12 pollici può migliorare l'efficienza produttiva delle fonderie e ridurre i costi di produzione dei chip.