Secondo quanto riportato, Kioxia pianifica di sostituire parte della DRAM con una versione aggiornata di NAND.

Gelonghui, 4 settembre – Secondo fonti di mercato, Kioxia ha recentemente tenuto una presentazione tecnica sulle memorie a semiconduttore e altre tecnologie. Kioxia prevede di aumentare la velocità di elaborazione della memoria NAND tramite moduli CXL progettati appositamente per i carichi di lavoro dell’intelligenza artificiale, sostituendo in parte la DRAM. È stato riferito che i moduli CXL possono ridurre il tempo necessario per la lettura dei dati a meno di un decimo rispetto ai prodotti tradizionali e, grazie all'elevata velocità di lettura, le loro prestazioni si avvicinano ulteriormente a quelle della DRAM. Kioxia ha sottolineato che, sostituendo parte della DRAM con moduli CXL, la capacità può essere aumentata fino al doppio e le prestazioni migliorate del 30%.