Musk parle de la production de puces : la capacité de fabrication à grande échelle de la Chine dépasse souvent celle du reste du monde combiné

La dernière déclaration de Musk sur la capacité de la Chine à industrialiser à grande échelle a ravivé l'inquiétude déjà latente dans le secteur des semi-conducteurs.

Dans la nuit, l'annonce de la dernière percée technologique réalisée par Changxin Memory Technologies, fabricant chinois de puces mémoire, a ébranlé le secteur des semi-conducteurs à Wall Street : l'indice des semi-conducteurs de Philadelphie a chuté de 2,7 % lundi, atteignant un plus bas de trois semaines. Micron, SanDisk, SK hynix ADR et d'autres entreprises liées à la mémoire étaient en tête des baisses, les craintes du marché concernant l'accélération de l'entrée des entreprises chinoises sur le segment lucratif des mémoires pour serveurs AI s'accentuant nettement.

Face à cette tendance, l'analyste AI Melvin a déclaré qu'il ne comprenait absolument pas cette vague de ventes massives de titres liés à la mémoire, estimant que le marché réagit de manière excessive et que cette vague de vente n'est pas rationnelle.

Peu après, Musk a répondu sur la plateforme sociale X en déclarant : Une fois que la Chine maîtrise les méthodes de fabrication d’un produit, sa capacité d’industrialisation dépasse souvent celle du reste du monde réuni, comme cela a été prouvé dans les domaines des batteries lithium et de l'énergie solaire.Il a également exprimé explicitement ses préoccupations quant à la rapidité avec laquelle la Chine rattrape son retard dans le domaine des puces mémoire, estimant que les standards universels comme LP5 et LP6 "semblent être rapidement maîtrisés par la Chine".

Musk : La capacité d’industrialisation de la Chine est un avantage systémique

Dans sa publication, Musk qualifie la capacité de la Chine à industrialiser à grande échelle d’avantage systémique, et non de phénomène isolé. Il écrit : "Quand la Chine découvre comment fabriquer un produit, sa capacité d’industrialisation dépasse souvent celle du reste du monde ensemble. Nous l’avons déjà vu avec les batteries lithium et le solaire."

Il prend SpaceX en référence et signale que SpaceX fait partie des rares exceptions, avec une masse mise en orbite environ dix fois supérieure à celle de tous les autres lanceurs réunis dans le monde. Mais il ajoute aussitôt que, malgré cela, la Chine détient désormais la majorité des masses mises en orbite hors SpaceX : "SpaceX est une valeur aberrante dans la matrice."

Dans le secteur des mémoires, le jugement de Musk est encore plus direct. Il explique que, il y a trois ans, la RAM n'était qu'un produit de base à faible marge, et que LP5 et LP6 suivent une conception standard universelle, "la Chine semble résoudre rapidement". Il ajoute également que la nouvelle génération d’architecture HBM, la couche SRAM sous la couche logique, ainsi que l’empilement 3D de la RAM au-dessus de la couche logique en résolvant les problèmes de dissipation thermique, constituent des défis technologiques nettement plus complexes.

La percée technique de Changxin Memory déclenche une vague de ventes sur le marché

La remarque de Musk n’est pas dénuée de fondement. Durant le week-end précédent, le président de Changxin Memory, le Dr Cao Kanyu, a annoncé lors d’un événement sectoriel que l’entreprise avait réalisé des progrès cruciaux dans l’architecture des cellules mémoire de nouvelle génération 4F² et prévoyait de lancer, d’ici fin 2026, des modules mémoire serveurs DDR5 basés sur cette architecture.

L’avantage clé de l’architecture 4F² réside dans la réduction de la surface occupée par chaque cellule mémoire. Dans l'architecture DRAM 6F² traditionnelle, F désigne la largeur minimale du process technologique ; la conception 4F² permet, en théorie, d’accueillir environ un tiers de bits supplémentaires sur une même surface, ce qui réduit les coûts unitaires et la rend plus adaptée aux barrettes mémoire de grande capacité qu’exigent les serveurs AI. Cao Kanyu précise que cette conception utilise des transistors propriétaires à grille entourante verticale pour limiter le courant de fuite, ciblant directement le marché hautement rentable de la DRAM pour serveurs AI.

Cette annonce a amené le marché à s’inquiéter brusquement de la montée en puissance des fabricants chinois sur le segment des puces mémoire haut de gamme, et a été le déclencheur direct de la chute collective des actions liées aux semi-conducteurs lundi. Les valeurs technologiques ont été les pires performeuses à Wall Street ce jour-là, avec en tête les entreprises liées aux mémoires. Micron est passé sous le seuil des 1000 dollars et a finalement clôturé en baisse d’environ 4 % ; SanDisk a reculé de près de 6 % ; SK hynix ADR et Super Micro Computer ont baissé de plus de 4 % ; Seagate Technology de plus de 3 % ; Quantum de plus de 9 % ; Corning a également fortement chuté.

La logique des ventes sur le marché est claire : si les fabricants chinois peuvent pénétrer à plus grande échelle et à moindre coût le marché haut de gamme des puces mémoire jusque-là dominé par les entreprises américaines et sud-coréennes, la marge bénéficiaire de ces entreprises sera réellement comprimée. L’intervention publique de Musk a, dans une certaine mesure, renforcé les anticipations des investisseurs quant à l’évolution de ce paysage concurrentiel.