Selon des informations, Samsung Electronics collabore avec Nvidia pour développer une mémoire à large bande passante de septième génération à 8 couches (HBM4E), réduisant ainsi significativement la hauteur d'empilement par rapport aux solutions initiales de 12 et 16 couches. Nvidia a spécifié une vitesse de 17 à 18 Gbps, soit environ 20 % supérieure à l'échantillon HBM4E initial de Samsung à 14,4 Gbps. Ce produit serait destiné à être utilisé dans NVHBM. (Seoul Economic Daily).

智通财经2026/08/31 05:31

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