Samsung (SSNLF.US) dévoile sa "bombe technologique" en mémoire 3D : première présentation du concept 400 couches V-NAND et zHBM, visant le trône de mémoire AI.

Selon l'application Jinse Finance, mardi heure locale, Samsung Electronics (SSNLF.US) a organisé à Santa Clara, Californie, la conférence "Future Memory & Storage", où il a présenté de manière concentrée la prochaine génération de technologies mémoire dédiées à l'ère de l'intelligence artificielle (IA), comprenant un prototype V10 BV-NAND de plus de 400 couches, la mémoire à haute bande passante zHBM empilée verticalement, ainsi que l'architecture zNAND-O. Samsung vise à consolider sa position de leader sur le marché des puces de stockage, d'une taille de près de 1 000 milliards de dollars, et à accélérer sa course pour rattraper SK Hynix et Micron Technology (MU.US), qui sont en avance dans le secteur de la mémoire IA.

En tant que plus grand fabricant mondial de puces mémoire, Samsung a dévoilé pour la première fois lors de la conférence son prototype V10 Bonding V-NAND (BV-NAND). Ce composant utilise une nouvelle architecture de liaison de wafers, empilant plus de 400 couches, ce qui représente une densité de stockage augmentée d'environ 58 % comparé à la génération précédente V9 NAND, tout en améliorant les vitesses de lecture-écriture et les performances d'entrée-sortie. Avec l'extension des charges de travail de l'IA, passant de l'entraînement de modèles linguistiques à la génération en temps réel de réponses aux requêtes des utilisateurs, la demande en mémoire flash NAND à haute capacité et haute efficacité énergétique croît rapidement. Samsung espère, grâce à cette technologie, mieux répondre aux besoins de stockage des systèmes IA axés sur la gestion massive des données.

Dans les domaines les plus avancés, Samsung a présenté ce qu'il appelle les premiers modèles conceptuels du secteur pour l'architecture zHBM et zNAND-O, esquissant la feuille de route future de la mémoire 3D empilée.

Contrairement à l'actuelle HBM traditionnelle placée à côté du processeur IA, zHBM empile verticalement la mémoire à haute bande passante au-dessus de l'accélérateur IA, réduisant considérablement la distance de transfert des données. Selon Samsung, par rapport à la prochaine génération HBM5, ce système offre une amélioration de performance d'environ huit fois, une densité de mémoire augmentée de plus de dix fois, une efficacité énergétique multipliée par trois, une résistance thermique réduite de plus de moitié et permet un design personnalisé. Toutefois, la société n'a pas encore annoncé de calendrier précis pour la production de masse des HBM5 et zHBM, mais prévoit d'augmenter prioritairement la capacité de production de HBM4 au cours du second semestre de cette année. Par ailleurs, le zNAND-O présenté s'appuie sur la technologie V-NAND et est optimisé pour des cas d'usages IA en temps réel et à forte intensité de données.

L'offensive technologique de Samsung intervient alors que les géants des puces de stockage se livrent une concurrence acharnée pour les commandes des centres de données IA. SK Hynix bénéficie d'un avantage précurseur grâce à son positionnement précoce sur le marché de la mémoire IA, tandis que Micron s'efforce également d'obtenir des commandes. Samsung met en avant son rôle de "fournisseur d'infrastructures IA de bout en bout", en multipliant les avancées dans le matériel mémoire, mais également en dévoilant la feuille de route produits pour les futures puces de calcul en mémoire et les solutions de stockage d'entreprise haute capacité.

Du côté de la demande, bien que certains investisseurs craignent que la faiblesse du marché chinois des smartphones puisse freiner la demande à long terme de mémoire, les analystes restent généralement optimistes sur l'élan puissant généré par l'IA. Samsung a révélé la semaine dernière que les accords à long terme signés avec ses clients couvriront finalement 60 % à 70 % de ses recettes de vente de mémoire.

Les analystes de Citigroup ont également souligné dans leur rapport du mois dernier que, en dépit des inquiétudes concernant le ralentissement du marché terminal, les stocks dans l'ensemble de la chaîne d'approvisionnement du DRAM et du NAND restent nettement inférieurs aux niveaux historiques, ce qui offre au secteur une marge de manœuvre et renforce les perspectives de croissance impulsées par l'IA.