Samsung (SSNLF.US) dévoile une "bombe technologique" dans la mémoire 3D : première présentation des concepts V-NAND à 400 couches et zHBM, visant la suprématie de la mémoire AI.

智通财经2026/08/05 01:26

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```htmlSelon Golden Ten Data APP, mardi, Samsung Electronics (SSNLF.US) a organisé à Santa Clara, Californie, la conférence « Future Memory & Storage », où elle a présenté les technologies de mémoire de prochaine génération pour l’ère de l’intelligence artificielle (AI), y compris un prototype V10 BV-NAND de plus de 400 couches, une mémoire à large bande passante zHBM empilée verticalement et l’architecture zNAND-O. L’entreprise vise ainsi à consolider sa position de leader sur le marché des puces de stockage d'une valeur de près de 1 trillion de dollars, tout en accélérant sa compétitivité pour rattraper SK Hynix et Micron Technology (MU.US), pionniers dans le secteur de la mémoire AI.```

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