Samsung y ASML colaboran en el desarrollo de tecnología de litografía EUV de alta NA

Según Seoul Economic Daily, Samsung Electronics colaborará con ASML, el mayor fabricante mundial de equipos de litografía, para desarrollar conjuntamente la tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV) de alto índice numérico de apertura (High-NA). Samsung está participando en un proyecto que busca transformar el estándar industrial, pasando de los fotomáscaras de 6 pulgadas utilizados desde la década de 1980 a versiones de 12 pulgadas, y aspira a ser pionera en el establecimiento de un sistema de producción en masa de DRAM basado en equipos High-NA EUV. Samsung planea aplicar estos equipos High-NA EUV en la producción de DRAM a partir de 2028 y, posteriormente, expandir esta tecnología hacia procesos lógicos avanzados de 1,4 nanómetros para potenciar su negocio de fundición de obleas. La expansión del tamaño de los fotomáscaras busca compensar las limitaciones de la tecnología EUV. El índice numérico de apertura de High-NA EUV supera en un 66% al de la EUV tradicional, permitiendo la creación de patrones de circuito mucho más precisos. Reemplazar los fotomáscaras de 6 pulgadas actualmente en uso por versiones de 12 pulgadas mejora la eficiencia de las fábricas de obleas y reduce los costes de fabricación de chips.