Samsung y SK Hynix incrementan la capacidad de producción de NAND en China, con inversiones en las plantas de Xi'an y Dalian que se concretarán antes del próximo año.

Samsung Electronics y SK Hynix están acelerando el fortalecimiento de su producción de memorias NAND en China, ya que ambos gigantes surcoreanos de almacenamiento planean completar sucesivas rondas de inversión en nuevos equipos antes del próximo año para responder al aumento explosivo de la demanda de almacenamiento de alto nivel impulsado por los servidores de IA.

Según un informe de ZDnet del martes, fuentes del sector indican que Samsung Electronics ya ha concretado sus planes de inversión para la conversión a la novena generación de NAND en su fábrica de Xi’an, China, y ha definido estrategias adicionales de inversión complementaria. Se espera que las órdenes de compra de equipos necesarios se implementen antes de finales de este año, y la inversión complementaria comenzará en la segunda mitad del próximo año. Por su parte, SK Hynix inició en el tercer trimestre de este año una inversión en equipos en su segunda fábrica de Dalian para la actualización tecnológica de sus productos NAND, con un objetivo de capacidad de producción de aproximadamente 30 mil obleas al mes.

Estos planes de inversión demuestran que ambas empresas están posicionando sus líneas de producción en China como pilares clave en la fabricación masiva de NAND de alta gama. A medida que se acelera la construcción de la infraestructura de IA, la demanda de NAND avanzada sigue creciendo en el mercado; esta expansión de capacidad en China impulsará aún más la capacidad de suministro de productos de alto nivel de ambas empresas.

Fábrica de Samsung en Xi’an: expansión por fases de V9 NAND

En la primera mitad de este año, Samsung Electronics ya inició la inversión para la conversión a V9 NAND en la línea X2 de Xi’an. La V9 NAND utiliza una arquitectura apilada de 280 capas, considerada la NAND más avanzada en la actualidad, y se prevé que la capacidad de producción mensual de esta línea alcance entre 40 y 50 mil obleas.

Para consolidar aún más la producción estable de V9 NAND, Samsung Electronics ha definido recientemente un plan complementario de inversión para esta fábrica, cuyo núcleo consiste en la incorporación de equipos de procesos de grabado. El grabado es una etapa clave en la fabricación de NAND, ya que, dado que las NAND requieren apilar cientos de capas de células de memoria, es necesario grabar canales sumamente profundos en la oblea, exigiendo máxima precisión y profundidad en la técnica de grabado.

Fuentes del sector indican que Samsung Electronics ejecutará esta inversión complementaria en la segunda mitad del próximo año, y que las órdenes de compra de equipos necesarios se concretarán antes de fin de este año. Según estas fuentes, Samsung llevará a cabo por fases la expansión de su capacidad de fabricación avanzada de NAND en China entre este año y el siguiente, motivada directamente por el rápido crecimiento de la demanda de NAND de alto nivel en aplicaciones como los servidores de IA.

Fábrica de SK Hynix en Dalian: inversión acelerada en nuevas líneas

En el caso de SK Hynix, la empresa inició en el tercer trimestre de este año una inversión en equipos en la segunda planta de Dalian, con el objetivo de actualizar la tecnología de los productos NAND locales. Actualmente, la inversión planeada contempla una capacidad de producción mensual de aproximadamente 30 mil obleas, y se prevé que las inversiones continúen hasta el próximo año.

Esta ronda de inversión en Dalian marca el comienzo de una aceleración sustancial en la construcción de capacidad de producción de NAND de SK Hynix en China; un movimiento sincronizado con la expansión de la fábrica de Samsung en Xi’an, que en conjunto representa una estrategia clave de las dos empresas surcoreanas para responder al déficit global de oferta y demanda de NAND de alta gama.