"El pedido no ha cambiado expectativas, pero la confianza ya ha sido reevaluada" Bank of America: La cooperación entre los tres gigantes de ASML refuerza la hoja de ruta a largo plazo de High-NA
El martes, ASML (ASML.US) se convirtió en el centro de atención del mercado, mientras que Bank of America elogió los acuerdos adicionales de suministro de equipos de fabricación de chips que la compañía alcanzó con TSMC (TSM.US), Intel (INTC.US) y Samsung.
Según ha informado la APP de Zhihong Finance, el martes ASML (ASML.US) se convirtió en el centro de atención del mercado. Bank of America elogió el acuerdo adicional de suministro de equipos para fabricación de chips de la compañía con TSMC (TSM.US), Intel (INTC.US) y Samsung. El analista Didier Scemama del banco reiteró su calificación de “compra” para ASML y mantuvo el precio objetivo en 2.452 euros sin cambios. Señaló que impulsar la construcción de un ecosistema de plantillas de fotomáscara de 12 pulgadas es clave para superar las actuales limitaciones de la tecnología High-NA.
El 8 de septiembre, el gigante holandés de la fotolitografía ASML emitió varias declaraciones sucesivas, anunciando compromisos de cooperación con los tres mayores fabricantes mundiales de chips —TSMC, Intel y Samsung Electronics— para el suministro de equipos de fotolitografía ultravioleta extrema (EUV) de próxima generación con alta apertura numérica (High-NA). Los tres grandes fabricantes revelaron simultáneamente sus propios calendarios para la producción en masa con High-NA y lanzaron conjuntamente una iniciativa sectorial de mayor alcance: fomentar la transición del estándar de fotomáscara de 6 pulgadas, vigente durante décadas, hacia plantillas de gran tamaño de 12 pulgadas.
La High-NA EUV es considerada una versión revolucionaria de la tecnología de fotolitografía EUV existente. Los equipos EUV comerciales actuales tienen una apertura numérica (NA) de 0,33, mientras que la High-NA EUV eleva este indicador a 0,55, incrementando significativamente la resolución de la fotolitografía. Esto significa que los fabricantes de chips pueden integrar más transistores en la misma superficie de oblea: el tamaño de los transistores puede reducirse aproximadamente 1,7 veces y la densidad aumenta casi tres veces.
Didier Scemama, analista de Bank of America, escribió en un informe para clientes: “Estos anuncios coinciden con nuestras previsiones sobre el ritmo de adopción de equipos EUV High-NA (cinco máquinas este año, seis el próximo año y 20 para 2030).”
Señaló: “Aunque estos pedidos no modifican nuestras previsiones financieras, refuerzan significativamente la confianza del mercado en la cooperación de la cadena industrial en torno a una hoja de ruta unificada para High-NA. La experiencia de producción en masa de Intel demuestra que los clientes ya pueden aplicar la tecnología a las plantillas actuales. Mientras tanto, la iniciativa conjunta de TSMC, ASML y Samsung allana el camino para aprovechar plenamente las ventajas de eficiencia productiva de High-NA a largo plazo.”
“Esto es especialmente importante para los aceleradores de IA cada vez más grandes y las GPU de tamaño equivalente a fotomáscaras, ya que puede evitar riesgos en la tasa de rendimiento provocados por procesos de unión (stitching) durante la fabricación”, añadió Scemama. “El objetivo de la iniciativa es establecer una línea piloto para plantillas de 12 pulgadas antes de 2031 y alcanzar la preparación para producción en masa antes de 2033.”
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