Samsung Electronics wird die Produktion von HBM4 und HBM4E im nächsten Jahr verdoppeln.

Es wird erwartet, dass die Produktionsmenge der HBM4-Serie von Samsung Electronics im nächsten Jahr mindestens doppelt so hoch sein wird wie in diesem Jahr, einschließlich des sechsten Generation High Bandwidth Memory (HBM4) und der siebten Generation HBM (HBM4E). Zuvor hatte das Unternehmen geplant, die Nachfrage nach "Glas-Substraten" auf das 2,5-fache des diesjährigen Bedarfs zu steigern. Glas-Substrate sind die Glasstützelemente für HBM-DRAMs während des Dünnschleifens der Wafer. Laut Branchenquellen vom 20. erhöhen sich die extern zur Reinigung ausgelagerten monatlichen Mengen an Glas-Substraten, die im Herstellungsprozess von HBM unverzichtbar sind, von derzeit 20.000 Stück pro Monat auf 50.000 Stück im nächsten Jahr. Im letzten Jahr benötigte Samsung nur 10.000 Glas-Substrate monatlich, dieses Jahr ist die Menge also doppelt so hoch wie im Vorjahr und im nächsten Jahr wird sie das 2,5-fache des aktuellen Volumens erreichen.Glas-Substrate sind temporäre Träger, die auf die Unterseite der HBM-DRAM-Wafer geklebt werden, um ein Verziehen oder Brechen der Wafer beim Schleifen, Dünnerwerden und Bohren zu verhindern. Da beim HBM mehrere DRAM-Dies in begrenzter Dicke gestapelt werden müssen, werden mit steigender Stapelanzahl sowohl das Dünnverfahren als auch die Verziehkontrolle immer wichtiger.Samsung Electronics bereitet sich gezielt auf die Ausweitung der Produktion von HBM4 und HBM4E vor, wobei der Schwerpunkt auf Produkten mit 12 oder mehr gestapelten Schichten liegt. Branchenanalysten sehen in der Tatsache, dass trotz der Wiederverwendung von Glas-Substraten nach der Reinigung und der schwankenden Verwendungsmengen je nach Prozess und Ausbeute die Menge auf das 2,5-fache steigt, einen klaren Hinweis darauf, dass die Produktion von HBM4 und HBM4E im nächsten Jahr mindestens doppelt so hoch sein wird wie in diesem Jahr.Im Februar dieses Jahres begann Samsung Electronics mit der Massenproduktion und Auslieferung von HBM4, der auf DRAM der sechsten Generation im 10nm-Bereich (1c) sowie auf Basischips, die im 4nm-Prozess (ein nm entspricht einem milliardstel Meter) hergestellt werden, basiert. Im Mai lieferte das Unternehmen zudem HBM4E 12-High-Muster an Kunden, darunter auch NVIDIA, aus.Brancheninsider erwarten, dass der durchschnittliche monatliche Waferoutput der HBM-Produktion von Samsung Electronics von rund 180.000 in diesem Jahr auf etwa 250.000 im nächsten Jahr steigen wird, was einem Zuwachs von fast 40 % entspricht. Auch beim Anteil der einzelnen Produkte an den Auslieferungen gibt es Prognosen, denen zufolge der Anteil der HBM4-Serie mit der vollständigen Massenproduktion von HBM4E von aktuell rund 40 % auf etwa 80 % im kommenden Jahr steigen wird. Ein Branchenvertreter erklärte: „Mit der Ausweitung der HBM-Produktion scheint Samsung Electronics die Produkte mit hoher Wertschöpfung, speziell HBM4, in den Mittelpunkt zu stellen.“