Samsung arbeitet mit ASML an der Entwicklung der High-NA-EUV-Lithografietechnologie zusammen.

Laut der Seoul Economic Daily wird Samsung Electronics gemeinsam mit dem weltweit größten Hersteller von Lithografieanlagen ASML an der Entwicklung der High-NA-EUV-Lithografietechnologie (Extreme Ultraviolet Lithography mit hoher numerischer Apertur) arbeiten. Samsung beteiligt sich an einer Initiative, die Branchenstandards neu definieren soll, indem die seit den 1980er Jahren verwendeten 6-Zoll-Fotomasken auf 12-Zoll-Versionen umgestellt werden. Zudem strebt Samsung an, als erstes Unternehmen ein DRAM-Massenproduktionssystem auf Basis von High-NA-EUV-Anlagen zu etablieren. Ab 2028 plant Samsung den Einsatz von High-NA-EUV-Anlagen in der DRAM-Fertigung und beabsichtigt anschließend, diese Technologie auf fortschrittliche 1,4-Nanometer-Logikverfahren auszudehnen, um das Foundry-Geschäft voranzutreiben. Die Vergrößerung der Fotomasken dient dazu, die Einschränkungen der EUV-Technologie zu kompensieren. Die numerische Apertur von High-NA-EUV ist um 66 % höher als bei herkömmlicher EUV und ermöglicht die Erzeugung noch feinerer Schaltkreismuster. Durch die Umstellung von aktuell verwendeten 6-Zoll- auf 12-Zoll-Masken können die Produktions­effizienz in den Wafer-Fabs gesteigert und die Kosten für die Chipfertigung gesenkt werden.